[发明专利]用于电压转换器的装置和方法

权利要求书

1.一种电压转换系统，包括：

电压转换器，其包含电感器和被配置为控制通过所述电感器的电流的多个开关；以及

旁路电路，其包含第一p-型场效应晶体管(PFET)、第二PFET、第一n-型场效应晶体管(NFET)和第二NFET，所述第一和第二NFET晶体管以及所述第一和第二PFET晶体管电连接在所述电感器的第一端和第二端之间，使得所述第一PFET晶体管的源极和所述第一NFET晶体管的漏极电连接到所述电感器的第一端，并且使得所述第二PFET晶体管的漏极和所述第二NFET晶体管的源极电连接到所述电感器的第二端。

2.如权利要求1所述的电压转换系统，其中所述第一PFET晶体管的漏极电连接到所述第二PFET晶体管的源极、所述第一NFET晶体管的源极和所述第二NFET晶体管的漏极。

3.如权利要求1所述的电压转换系统，其中所述第一PFET晶体管的基体电连接到电池电压，并且所述第一NFET晶体管的基体电连接到地电压。

4.如权利要求3所述的电压转换系统，其中所述第二PFET晶体管的基体电连接到升压电压，所述升压电压具有大于所述电池电压的幅度。

5.如权利要求4所述的电压转换系统，其中所述第二NFET晶体管的基体电连接到可切换电压，所述可切换电压被配置为基于由所述电压转换器生成的输出电压的幅度在等于大约所述地电压的电压和大于所述地电压的电压之间切换。

6.如权利要求5所述的电压转换系统，还包括第一电平移动器和第二电平移动器，所述第一电平移动器被配置为生成用于所述第一PFET晶体管的栅极和用于所述第一NFET晶体管的栅极的栅极控制信号，并且所述第二电平移动器被配置为生成用于所述第二PFET晶体管的栅极和用于所述第二NFET晶体管的栅极的栅极控制信号。

7.如权利要求6所述的电压转换系统，其中所述第一电平移动器使用所述电池电压和所述地电压供电，并且所述第二电平移动器使用所述升压电压和所述可切换电压供电，以防止所述第二PFET晶体管发生所述栅极和所述漏极之间的击穿。

8.如权利要求5所述的电压转换系统，还包括反相器和被配置为生成调节电压的低压降稳压器，所述反相器使用所述调节电压和所述地电压供电，所述反相器的输出被配置为基于输入保护控制信号生成所述可切换电压。

9.如权利要求3所述的电压转换系统，还包括具有电连接到所述地电源的阳极和电连接到所述第一NFET晶体管的漏极的阴极的二极管，所述二极管被配置为当所述电感器的第一端具有小于所述地电压的电压时保护所述第一NFET晶体管不被损坏。

10.如权利要求1所述的电压转换系统，其中所述电压转换器的多个开关包含具有电连接到所述电感器的第一端的第一端和电连接到地电源的第二端的开关。

11.如权利要求10所述的电压转换系统，还包括被布置在所述开关的第二端和所述地电源之间的电路径中的电组件，所述电组件具有电阻。

12.如权利要求10所述的电压转换系统，其中所述第一NFET晶体管的基体电连接到所述开关的第二端。

13.如权利要求1所述的电压转换系统，其中所述电压转换器包含被配置为控制所述多个开关以生成多个输出电压的开关控制块。

14.一种用于包含电感器和被配置为控制通过电感器的电流的多个开关的电压转换器的旁路电路，所述旁路电路包括：

第一p-型场效应晶体管(PFET)晶体管；

第一n-型场效应晶体管(NFET)晶体管，其具有电连接到所述第一PFET晶体管的源极和所述电感器的第一端的漏极；

第二PFET晶体管，其具有电连接到所述第一PFET晶体管的漏极的源极；以及

第二NFET晶体管，其具有电连接到所述第一NFET晶体管的源极的漏极以及电连接到所述第二PFET晶体管的漏极和所述电感器的第二端的源极。

15.如权利要求14所述的旁路电路，其中所述第一PFET晶体管的漏极电连接到所述第一NFET晶体管的源极和所述第二NFET晶体管的漏极。