[发明专利]用于控制半导体开关器件的装置有效
申请号: | 201280065835.4 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN104040890B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 丹尼斯·雷内·皮埃尔·马蒂厄 | 申请(专利权)人: | 施耐德电气IT公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082;H03K17/16 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 周靖,郑霞 |
地址: | 美国罗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种用于控制如IGBT的半导体开关器件的控制电路。该控制电路包括第一反馈路径,其在所述半导体开关器件的第一电极和控制电极之间,第一反馈路径具有电容。该电路可操作以便第一反馈路径中的电容依赖于在所述第一电极上的电压电平。在另一实施方式中,控制电路可操作以便随着半导体开关器件开始切断,反馈信号立即开始在第一反馈路径中流动,从而引起半导体开关器件上的控制动作。 | ||
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【主权项】:
一种用于控制半导体开关器件的控制电路,其包括第一反馈路径,所述第一反馈路径在所述半导体开关器件的第一电极和控制电极之间,所述第一反馈路径包括电容,所述控制电路是可操作的,以便在所述第一反馈路径中的所述电容依赖于在所述第一电极上的电压电平;其中所述第一反馈路径包括至少一个阈值器件,所述阈值器件或每个阈值器件引起相应的阈值电压电平被设置,所述控制电路是可操作的,以便在所述第一电极处的所述电压电平超过所述阈值电压电平中的一个时,所述第一反馈路径中的所述电容增加。
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