[发明专利]用于控制半导体开关器件的装置

权利要求书

1.一种用于控制半导体开关器件的控制电路，其包括第一反馈路径，所述第一反馈路径在所述半导体开关器件的第一电极和控制电极之间，所述第一反馈路径包括电容，所述控制电路是可操作的，以便在所述第一反馈路径中的所述电容依赖于在所述第一电极上的电压电平；

其中所述第一反馈路径包括至少一个阈值器件，所述阈值器件或每个阈值器件引起相应的阈值电压电平被设置，所述控制电路是可操作的，以便在所述第一电极处的所述电压电平超过所述阈值电压电平中的一个时，所述第一反馈路径中的所述电容增加。

2.如权利要求1所述的控制电路，其中，所述第一反馈路径包括并联布置的多个电容器。

3.如权利要求2所述的控制电路，其中，在所述多个电容器的第一个电容器与所述第一电极之间没有提供阈值器件。

4.如权利要求2所述的控制电路，其中，在并联布置的所述多个电容器的每对电容器输入端之间提供了阈值器件。

5.如权利要求3所述的控制电路，其中，在并联布置的所述多个电容器的每对电容器输入端之间提供了阈值器件。

6.如权利要求4所述的控制电路，其是可操作的，以便每个阈值器件引起相应的阈值电压电平被设置，所述控制电路是可操作的，以便在所述第一电极上的所述电压电平每次超过阈值电压电平时，另一个电容器被切换到所述第一反馈路径中，并且因此对所述第一反馈路径中的所述电容做出贡献。

7.如权利要求5所述的控制电路，其是可操作的，以便每个阈值器件引起相应的阈值电压电平被设置，所述控制电路是可操作的，以便在所述第一电极上的所述电压电平每次超过阈值电压电平时，另一个电容器被切换到所述第一反馈路径中，并且因此对所述第一反馈路径中的所述电容做出贡献。

8.如权利要求1到7中的任意一个所述的控制电路，其中，所述阈值器件包括瞬态-电压-抑制二极管。

9.如权利要求1到7中的任意一个所述的控制电路，其是可操作的，以便当所述控制电极上的电平走低时，所述半导体开关器件开始导通并且所述第一电极上的所述电压电平上升，所述第一反馈路径可操作以施加依赖于所述第一电极上的所述电压电平的反馈信号到所述控制电极，从而减小所述第一电极上的电压电平的上升的速率。

10.如权利要求8所述的控制电路，其是可操作的，以便当所述控制电极上的电平走低时，所述半导体开关器件开始导通并且所述第一电极上的所述电压电平上升，所述第一反馈路径可操作以施加依赖于所述第一电极上的所述电压电平的反馈信号到所述控制电极，从而减小所述第一电极上的电压电平的上升的速率。

11.如权利要求9所述的控制电路，其可操作以在预定的时间延迟之后停止施加所述反馈信号到所述控制电极，并且将所述电容放电。

12.如权利要求10所述的控制电路，其可操作以在预定的时间延迟之后停止施加所述反馈信号到所述控制电极，并且将所述电容放电。

13.如权利要求1到7中的任意一个所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是晶体管器件，所述第一电极是集电极/源极，并且所述控制电极是基极/栅极电极。

14.如权利要求8所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是晶体管器件，所述第一电极是集电极/源极，并且所述控制电极是基极/栅极电极。

15.如权利要求9所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是晶体管器件，所述第一电极是集电极/源极，并且所述控制电极是基极/栅极电极。

16.如权利要求10-12中的任意一个所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是晶体管器件，所述第一电极是集电极/源极，并且所述控制电极是基极/栅极电极。

17.如权利要求13所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是绝缘栅双极晶体管。

18.如权利要求14或15所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是绝缘栅双极晶体管。

19.如权利要求16所述的控制电路，其中，所述半导体开关器件是绝缘栅双极晶体管。