[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法、单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201280064551.3 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104114976B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊明;佐藤忠广;北原贤 | 申请（专利权）人： | 株式会社SUMCO |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24;C03B20/00;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京华创博为知识产权代理有限公司11551 | 代理人： | 李伟波,管莹 |
| 地址： | 日本秋田县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明，提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，该方法具备使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序；以及通过对所述内表面照射光，并检测其反射光，来测量所述内表面的三维形状的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 玻璃 坩埚 三维 形状 测量方法 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，所述坩埚在内表面侧具有透明氧化硅玻璃层，以及在外表面侧具有含有气泡的氧化硅玻璃层，所述测量方法具备：使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序；以及按照预先求出的所述内表面的三维形状，使内部测距部非接触地沿着所述坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，通过从内部测距部对所述坩埚的内表面及所述透明氧化硅玻璃层与所述含有气泡的氧化硅玻璃层的界面的斜方向照射激光，并同时检测来自所述内表面的内表面反射光及界面的界面反射光，来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离及所述内部测距部与所述界面之间的界面距离，通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联，来求出所述坩埚的内表面三维形状，通过将各测量点的三维坐标与所述界面距离建立关联，来求出所述坩埚的界面三维形状。
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