[发明专利]膜厚分布测定方法

摘要

本发明是一种膜厚分布测定方法，该方法执行如下工序：算出量变曲线P1，该量变曲线P1表示测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出量变曲线P21，该量变曲线P21表示具有仅比测定对象的带薄膜晶片的第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；求出P1、P21之差即量变曲线P31成为零时的波长λ1；选择包括所求出的波长λ1的波段作为利用反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段；以及，向测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的所选择的波段的反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定第一薄膜的膜厚分布。由此，使用反射光谱法能够以高密度、高精度、且以较短时间测定带两层薄膜晶片的膜厚分布。

主权项

一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31(＝P21－P1)，并求出所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1的工序；选择包括上述所求出的波长λ1的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜的膜厚分布的工序。