[发明专利]膜厚分布测定方法

权利要求书

1.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：

通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；

通过模拟算出量变曲线P21的工序，该量变曲线P21表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第二薄膜的设定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；

算出上述所算出的双方量变曲线P1、P21之差即量变曲线P31(＝P21－P1)，并求出所算出的差值即量变曲线P31成为零时的波长λ1的工序；

选择包括上述所求出的波长λ1的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，

向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第一薄膜的膜厚分布的工序。

2.根据权利要求1所述的膜厚分布测定方法，其特征在于，

在选择包括上述所求出的波长λ1的波段的工序中，从波长λ1±50[nm]的范围内选择上述波段。

3.一种膜厚分布测定方法，利用反射光谱法而测定带薄膜晶片的第二薄膜的膜厚分布，该带薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于该第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布测定方法其特征在于，包括：

通过模拟算出量变曲线P1的工序，该量变曲线P1表示上述测定对象的带薄膜晶片对于可见光波长以上波长区域的光的反射率的波长相关性；

通过模拟算出量变曲线P22的工序，该量变曲线P22表示具有仅比上述测定对象的带薄膜晶片的上述第一薄膜的设定膜厚T1薄或厚t[nm]的第一薄膜的带薄膜晶片对于可见光以上波长区域的光的反射率的波长相关性；

算出上述所算出的双方量变曲线P1、P22之差即量变曲线P32(＝P22－P1)，并求出该所算出的差值即量变曲线P32成为零时的波长λ2的工序；

选择包括上述所求出的波长λ2的波段作为利用上述反射光谱法的膜厚分布测定所使用的光的波段的工序；以及，

向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射光，仅将来自该带薄膜晶片的表面的反射光中的上述所选择的波段的反射光作为测定对象，或者向上述测定对象的带薄膜晶片的表面照射上述所选择的波段的光，将来自该带薄膜晶片的表面的全部反射光作为测定对象，并利用反射光谱法而测定上述第二薄膜的膜厚分布的工序。

4.根据权利要求3所述的膜厚分布测定方法，其特征在于，

在选择包括上述所求出的波长λ2的波段的工序中，从波长λ2±50[nm]的范围内选择上述波段。