[发明专利]SrRuO3膜的沉积方法

摘要

本发明提供一种SrRuO₃膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO₃膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO₃膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO₃膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO₃膜。

主权项

一种SrRuO₃膜的沉积方法，所述方法使用DC磁控溅射装置，所述DC磁控溅射装置具备：载置基板的基板保持件、载置靶材的阴极、与所述阴极连接的DC电源和使所述基板保持件旋转的转动机构，所述基板保持件的中心位置与所述靶材的中心位置在水平方向偏移地配置，通过DC磁控溅射法在所述基板上沉积SrRuO₃膜，所述方法包括如下工序：配置所述靶材和所述基板的工序，按照所述靶材投影到所述基板上时所述基板上的所述靶材的投影图像形成于相对于基板的中心的一侧而不形成于相对于所述基板的所述中心的另一侧的方式配置所述靶材和所述基板；和在所述基板上外延生长所述SrRuO₃膜的工序，向所述DC磁控溅射装置内导入含氧气体使所述DC磁控溅射装置内为1.0Pa以上且小于8.0Pa的含氧气氛，自所述DC电源介由所述阴极向所述靶材供给DC电力，不产生异常放电地在所述靶材与所述基板之间形成等离子体，利用所述转动机构使所述基板保持件上的所述基板以所述基板的被处理面的法线方向为中心旋转，并且在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下在所述基板上使所述SrRuO₃膜外延生长。