[发明专利]SrRuO3膜的沉积方法有效
| 申请号： | 201280063746.6 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104024467B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 醍醐佳明;石桥启次 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | srruo sub 沉积 方法 | ||
1.一种SrRuO3膜的沉积方法，所述方法通过偏移旋转沉积型DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜，所述方法包含：
在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。
2.根据权利要求1所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述沉积压力为1.5Pa以上且小于5.0Pa。
3.根据权利要求1所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述沉积压力为2.0Pa以上且小于3.0Pa。
4.根据权利要求1所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述DC磁控溅射法使用SrRuO3靶材和缺氧型SrRuOx靶材(x是小于3的正数)中的任一种作为靶材。
5.根据权利要求1所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中所述基板是Si基板和SrTiO3基板中的任一种。
6.根据权利要求5所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述基板是SrTiO3基板，以及
在所述SrRuO3膜沉积在所述SrTiO3基板上之前，进行加热SrTiO3基板至500℃以上的预加热。
7.根据权利要求6所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中在O2气氛下进行所述预加热。
8.根据权利要求1所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述基板是SrTiO3基板，以及
在所述SrRuO3膜沉积在所述SrTiO3基板上之前，SrTiO3膜同质外延地生长在所述SrTiO3基板上。
9.根据权利要求8所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中在SrTiO3膜同质外延地生长在SrTiO3基板上之前，进行加热所述SrTiO3基板至500℃以上的预加热。
10.根据权利要求9所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中在O2气氛下进行所述预加热。
11.根据权利要求5所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述基板是Si基板，以及
在所述SrRuO3膜沉积在所述Si基板上之前，进行在真空下加热所述Si基板至850℃以上的预加热。
12.根据权利要求5所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述基板是Si基板，以及
在所述SrRuO3膜沉积在所述Si基板上之前，使用活性气体去除所述Si基板上的氧化膜。
13.根据权利要求5所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述基板是Si基板，以及
在所述SrRuO3膜沉积在所述Si基板上之前，在含氧气氛下加热所述Si基板。
14.根据权利要求5所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中
所述基板是Si基板，以及
在将所述SrRuO3膜沉积在所述Si基板上的情况下，与SrRuO3膜和Si基板的材料不同的材料作为所述SrRuO3膜的底层形成于所述SrRuO3膜和所述Si基板之间。
15.根据权利要求14所述的SrRuO3膜的沉积方法，其中所述底层由Ti、Pt和SrTiO3中的任一种制成。
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