[发明专利]在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制

摘要

用于减少在半导体处理中寄生等离子体的减少等离子体的系统包括第一表面和被设置在电极和该第一表面之间的多个介电层。该第一表面与该电极具有显著不同的电势。该多个介电层限定了该电极与该多个介电层中的一个之间的第一间隙、该多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙、以及该多个介电层中的最后一个与该第一表面之间的第三间隙。选择该多个介电层的数目和该第一间隙、该第二间隙以及该第三间隙的尺寸以防止在该半导体处理期间该第一表面与该电极之间的寄生等离子体。

主权项

一种用于减少半导体处理中寄生等离子体的系统，其包括：第一表面；以及被设置在电极与所述第一表面之间的多个介电层，其中所述第一表面与所述电极具有显著不同的电势，其中所述多个介电层限定了：所述电极与所述多个介电层中的一个之间的第一间隙，所述多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及所述多个介电层中的最后一个与所述第一表面之间的第三间隙，以及其中选择所述多个介电层的数目以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。