[发明专利]在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制

权利要求书

1.一种用于减少半导体处理中寄生等离子体的系统，其包括：

第一表面；以及

被设置在电极与所述第一表面之间的多个介电层，

其中所述第一表面与所述电极具有显著不同的电势，

其中所述多个介电层限定了：

所述电极与所述多个介电层中的一个之间的第一间隙，

所述多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及

所述多个介电层中的最后一个与所述第一表面之间的第三间隙，以及

其中选择所述多个介电层的数目以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一表面包括接地导电结构。

3.根据权利要求1所述的系统，其还包括设置在所述多个介电层的径向外端之间的屏障，以防止沉积前体物质侵入所述多个介电层之间。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个介电层中的每个的直径随着所述电极与所述多个介电层中的相应的一个之间的距离的增加而减小。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个介电层中的每个包括具有在轴向方向上的第一厚度的径向内部和径向向外延伸并具有在所述轴向方向上的第二厚度的突起部。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一厚度与所述第二厚度之间的差等于所述第二间隙。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述半导体处理包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

8.一种基座系统，其包括：

根据权利要求2所述的系统；以及

含有支撑衬底的并且由非导电材料制成的基座台板的基座，

所述电极，其中所述电极被嵌入在所述基座台板中。

9.根据权利要求8所述的基座系统，其中在所述半导体处理期间，所述接地导电结构被连接至RF接地并且所述电极被连接到RF偏置。

10.根据权利要求8所述的基座系统，其还包括：

连接到所述第一表面的套环；以及

连接到所述套环的适配器。

11.根据权利要求10所述的基座系统，其中所述第一表面、所述套环和所述适配器由铝制成。

12.根据权利要求8所述的基座系统，其中所述基座台板包括陶瓷，所述第一表面包括导电盘状物，所述电极包括线材网格以及所述多个介电层中的每个包括盘状物。

13.一种喷头系统，其包括：

根据权利要求2所述的系统，

其中所述电极包括含有第一杆部和头部的喷头，以及

其中所述多个介电层包括：

与所述头部相邻设置的M介电层；以及

围绕所述第一杆部设置的P介电部，其中M和P是大于1的整数。

14.根据权利要求13所述的喷头系统，其中所述接地导电结构包括：

围绕所述第一杆部以及所述P介质部设置的第二杆部；以及

从所述第二杆部径向向外突出的盘状物部。

15.根据权利要求13所述的喷头系统，其中在所述半导体处理期间，所述喷头被连接到RF偏置并且所述接地导电结构被连接至RF接地。

16.一种用于半导体处理的基座系统，其包括：

支撑衬底的、由非导电材料制成的并且包括嵌入其中的电极的基座台板；

具有与所述电极显著不同的电势的第一表面；

设置在所述基座台板与所述第一表面之间的N介电层，其中N是大于1的整数；以及

其中所述N介电层限定了：

所述基座台板与所述N介电层之间的第一间隙，

所述N介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及

所述N介电层与所述第一表面之间的第三间隙，以及

其中选择N以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸，以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。

17.根据权利要求16所述的基座系统，其中在所述半导体处理期间，所述电极被连接到RF偏置并且所述第一表面被连接至RF接地。