[发明专利]生产率及一致性提高的离子注入的系统及方法有效
| 申请号： | 201280061905.9 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104025247A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/244;H01J37/304 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 美国马萨诸*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。 | ||
| 搜索关键词： | 生产率 一致性 提高 离子 注入 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入系统，该离子注入系统包括：一离子源，其配置成沿一射束路径生成一离子束；一质量分析部件，其位于所述离子源的下游并配置成在所述离子束上进行质量分析；一扫描元件，其位于所述离子源下游并配置成产生一时变场，该时变场对所述离子束进行操作，以产生一穿过一扫描路径的经扫描射束；一射束评测系统，其配置成在所述经扫描射束穿过所述扫描路径时测量所述经扫描射束的束电流；一分析系统，用于分析所测的束电流，以检测由于扫描产生的零场效应(ZFE)情况；一ZFE限制元件，其位于所述射束评测系统上游并经由一反馈通路耦合至所述分析系统，其中所述ZFE限制元件配置成通过基于是否检测到一ZFE情况而选择性向所述离子束施加一电场的方式，在检测到ZFE情况时限制所述ZFE情况。
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