[发明专利]涂层切削工具和其制造方法在审

专利信息
申请号: 201280061862.4 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN104053815A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 卡尔·比约恩曼德 申请(专利权)人: 山特维克知识产权股份有限公司
主分类号: C23C16/36 分类号: C23C16/36
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 郭国清;穆德骏
地址: 瑞典桑*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 发明提供包括基底和表面涂层的涂层切削工具,其中所述涂层包括Ti(C,N,O)层,所述Ti(C,N,O)层包括至少一个柱状细粒MTCVD Ti(C,N)层,所述MTCVD Ti(C,N)层具有0.05~0.4μm的平均晶粒宽度,且在所述MTCVD Ti(C,N)层中包含的碳与碳和氮之和的原子比(C/(C+N))平均为0.50~0.65。还提供了包括沉积所述MTCVD Ti(C,N)层的制造所述涂层切削工具的方法。
搜索关键词: 涂层 切削 工具 制造 方法
【主权项】:
一种包括基底和表面涂层的涂层切削工具,其中所述涂层包括Ti(C,N,O)层,所述Ti(C,N,O)层包括至少一个柱状MTCVD Ti(C,N)层,所述MTCVD Ti(C,N)层具有0.05~0.4μm的平均晶粒宽度,所述平均晶粒宽度是通过如下方式测量的:在其表面法线与所述基底的表面法线垂直的横截面上,在所述涂层切削工具的前刀面上,沿与所述基底的表面平行的方向上的直线,在所述柱状MTCVD Ti(C,N)层的最低界面和最高界面之间的中间位置处,实施测量,其特征在于在所述MTCVD Ti(C,N)层中包含的碳与碳和氮之和的原子比(C/(C+N))平均为0.50~0.65,其是用电子探针微量分析在沿所述直线间隔50μm的10个位置处测量的。
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