[发明专利]涂层切削工具和其制造方法在审
| 申请号: | 201280061862.4 | 申请日: | 2012-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN104053815A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 卡尔·比约恩曼德 | 申请(专利权)人: | 山特维克知识产权股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/36 | 分类号: | C23C16/36 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;穆德骏 |
| 地址: | 瑞典桑*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | 本发明提供包括基底和表面涂层的涂层切削工具,其中所述涂层包括Ti(C,N,O)层,所述Ti(C,N,O)层包括至少一个柱状细粒MTCVD Ti(C,N)层,所述MTCVD Ti(C,N)层具有0.05~0.4μm的平均晶粒宽度,且在所述MTCVD Ti(C,N)层中包含的碳与碳和氮之和的原子比(C/(C+N))平均为0.50~0.65。还提供了包括沉积所述MTCVD Ti(C,N)层的制造所述涂层切削工具的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 涂层 切削 工具 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种包括基底和表面涂层的涂层切削工具,其中所述涂层包括Ti(C,N,O)层,所述Ti(C,N,O)层包括至少一个柱状MTCVD Ti(C,N)层,所述MTCVD Ti(C,N)层具有0.05~0.4μm的平均晶粒宽度,所述平均晶粒宽度是通过如下方式测量的:在其表面法线与所述基底的表面法线垂直的横截面上,在所述涂层切削工具的前刀面上,沿与所述基底的表面平行的方向上的直线,在所述柱状MTCVD Ti(C,N)层的最低界面和最高界面之间的中间位置处,实施测量,其特征在于在所述MTCVD Ti(C,N)层中包含的碳与碳和氮之和的原子比(C/(C+N))平均为0.50~0.65,其是用电子探针微量分析在沿所述直线间隔50μm的10个位置处测量的。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





