[发明专利]涂层切削工具和其制造方法

权利要求书

1.一种包括基底和表面涂层的涂层切削工具，其中所述涂层包括Ti(C,N,O)层，所述Ti(C,N,O)层包括至少一个柱状MTCVD Ti(C,N)层，所述MTCVD Ti(C,N)层具有0.05～0.4μm的平均晶粒宽度，所述平均晶粒宽度是通过如下方式测量的：在其表面法线与所述基底的表面法线垂直的横截面上，在所述涂层切削工具的前刀面上，沿与所述基底的表面平行的方向上的直线，在所述柱状MTCVD Ti(C,N)层的最低界面和最高界面之间的中间位置处，实施测量，

其特征在于

在所述MTCVD Ti(C,N)层中包含的碳与碳和氮之和的原子比(C/(C+N))平均为0.50～0.65，其是用电子探针微量分析在沿所述直线间隔50μm的10个位置处测量的。

2.根据权利要求1所述的涂层切削工具，其中所述平均晶粒宽度为0.1～0.2μm。

3.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具，其中所述C/(C+N)比率为0.56～0.60。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的涂层切削工具，其中所述MTCVD Ti(C,N)层具有如使用CuKα辐射测量的X-射线衍射图，其中织构系数TC(hkl)被定义为

TC(hkl)=I(hkl)I0(hkl)[1nΣn=1nI(hkl)I0(hkl)]-1]]>

其中I(hkl)＝(hkl)反射的测量强度，

I₀(hkl)＝根据ICDD的PDF卡42-1489号的标准强度，

n＝在计算中使用的反射数，

所使用的(hkl)反射为：(111)、(200)、(220)、(311)、(331)、(420)、(422)和(511)，且

TC(422)和TC(311)之和大于5.5。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的涂层切削工具，其中所述柱状MTCVD Ti(C,N)层的平均厚度为5～15μm。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的涂层切削工具，还包括Al₂O₃层。

7.根据权利要求6所述的涂层切削工具，其中所述Al₂O₃层为具有2～6μm的平均厚度的α-Al₂O₃层。

8.根据权利要求6或7所述的涂层切削工具，其中所述Ti(C,N,O)层还包括邻近于所述Al₂O₃层的Ti(C,O)层。