[发明专利]缺陷检测方法、缺陷检测装置以及半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201280061054.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103988070A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 中岛隆宏 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72;G01B11/00;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供即使在检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下也能检测缺陷的缺陷检测方法。取得表示对多条配线施加电压中的半导体基板的温度分布的红外线图像，确定发热的半导体元件的位置，根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 装置 以及 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种缺陷检测方法，其特征在于，包含：电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
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