[发明专利]缺陷检测方法、缺陷检测装置以及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种缺陷检测方法，其特征在于，

包含：

电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；

温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；

位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及

缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。

2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，

还包含：

图像检查工序，其执行上述半导体基板的图像检查，确定异物的位置；以及

短路缺陷位置判定工序，其在上述图像检查工序中确定的异物的位置位于在上述缺陷配线判定工序中判定为缺陷配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。

3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测方法，其特征在于，上述多个半导体元件是连接到检查图案的检查用晶体管，上述检查图案是形成于上述半导体基板的驱动电路部的、用于向上述半导体基板施加检查用的电压的检查用配线。

4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，上述多条配线包括并列配置的第1配线组和以与该第1配线组交叉的方式并列配置的第2配线组，

在上述位置确定工序中判定出发热的上述第1配线组用的检查用晶体管的位置和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管的位置的情况下，在上述缺陷配线判定工序中进一步将发热的上述第1配线组用的检查用晶体管电连接的配线和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管电连接的配线的交点判定为短路缺陷所在的位置。

5.一种缺陷检测装置，其特征在于，

具备：

电压施加单元，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；

温度分布信息取得单元，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；

位置确定单元，其基于上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；

存储单元，其存储上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息；

缺陷配线判定单元，其基于存储于上述存储单元的上述电连接关系的信息，将上述多条配中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。

6.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，

包含：

电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；

温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；

位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；

缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。