[发明专利]场效应晶体管结构以及相关的射频开关有效
| 申请号： | 201280060734.8 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103999227A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | J.C.克兰德尔 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管(FET)结构的装置和方法，其构造为在线性运行区域(Rds-on)中减小单位面积电阻值。诸如绝缘体上硅(SOI)装置的典型的FET装置要求较大的装置尺寸以希望降低Rds-on值。然而，这样的尺寸增加导致不希望的较大的芯片尺寸。所公开的是源极、漏极和对应栅极的各种形状示例，其产生降低的Rds-on值而不需要增加装置尺寸。在某些实施中，这样的FET装置可应用于高功率射频(RF)开关应用中。在某些实施中，多个这样的FET可串联连接以允许在高功率RF开关应用中使用SOI技术同时保持相对小的芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 以及 相关 射频 开关 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体衬底；多个第一扩散区域，形成在该半导体衬底上；多个第二扩散区域，形成在该半导体衬底上；以及栅极层，设置在该第一扩散区域和该第二扩散区域之上，该栅极层限定在该第一扩散区域的每一个之上的第一开口和在该第二扩散区域的每一个之上的第二开口，该第一开口和该第二开口的至少某些具有矩形之外的形状。
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