[发明专利]场效应晶体管结构以及相关的射频开关

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

半导体衬底；

多个第一扩散区域，形成在该半导体衬底上；

多个第二扩散区域，形成在该半导体衬底上；以及

栅极层，设置在该第一扩散区域和该第二扩散区域之上，该栅极层限定在该第一扩散区域的每一个之上的第一开口和在该第二扩散区域的每一个之上的第二开口，该第一开口和该第二开口的至少某些具有矩形之外的形状。

2.如权利要求1所述的晶体管，还包括形成在该第一扩散区域和该第二扩散区域的每一个上的接触结构。

3.如权利要求2所述的晶体管，还包括第一导体和第二导体，该第一导体电连接该第一扩散区域上的该接触结构，该第二导体电连接该第二扩散区域上的该接触结构。

4.如权利要求3所述的晶体管，其中该第一导体还连接到源极端子，并且该第二导体还连接到漏极端子。

5.如权利要求4所述的晶体管，其中该第一开口和该第二开口的至少某些具有第一形状，由具有中心和沿着第一方向的长轴的细长形状以及中心大致在该细长形状的该中心的菱形形状的轮廓限定，该菱形形状定向为使一套对角沿着该长轴而另一套对角基本上垂直于该长轴。

6.如权利要求5所述的晶体管，其中该细长形状包括长度沿着该第一方向的矩形。

7.如权利要求5所述的晶体管，其中该细长形状包括沿着该第一方向拉长的六边形。

8.如权利要求7所述的晶体管，其中具有第一形状的该多个第一开口形成第一列，该第一列中的第一开口沿着大致垂直于该第一方向的第二方向布置。

9.如权利要求8所述的晶体管，其中具有该第一形状的该多个第二开口形成第二列，该第二列中的该第二开口沿着该第二方向布置且沿着该第一方向自该第一开口偏移。

10.如权利要求9所述的晶体管，其中该第一列的该第一开口和该第二列的该第二开口沿着该第一方向和沿着该第二方向交错排列。

11.如权利要求10所述的晶体管，其中该第一导体和该第二导体的每一个沿着该第二方向延伸。

12.如权利要求11所述的晶体管，还包括具有附加第一开口的至少一个附加列，该附加第一开口沿着该第一方向和该第二方向延续该交错构造。

13.如权利要求1所述的晶体管，其中第一和第二开口的相邻一对包括用于该第一开口的第一面对部分和用于该第二开口的第二面对部分，该第一面对部分和该第二面对部分的至少一个具有在不同方向延伸的多个段。

14.如权利要求1所述的晶体管，其中第一和第二开口的相邻一对包括用于该第一开口的第一面对部分和用于该第二开口的第二面对部分，该第一面对部分和该第二面对部分限定矩形之外的四边形的相对边。

15.如权利要求1所述的晶体管，其中该晶体管是金属氧化物半导体FET(MOSFET)。

16.如权利要求1所述的晶体管，还包括绝缘体层，设置在包括硅衬底的半导体衬底之下，以形成绝缘体上硅(SOI)结构。

17.如权利要求1所述的晶体管，其中该形状的尺度形成为与具有类似尺寸的矩形开口相比每单位面积产生减小的Rds-on值。

18.一种半导体芯片，包括：

半导体衬底；以及

多个晶体管，实施在该衬底上，每个晶体管包括多个第一扩散区域和多个第二扩散区域，每个晶体管还包括设置在该第一扩散区域和第二扩散区域之上的栅极层，该栅极层限定在该第一扩散区域的每一个之上的第一开口和在该第二扩散区域的每一个之上的第二开口，该第一开口和该第二开口的至少某些具有矩形之外的形状。