[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备有效
申请号: | 201280059556.7 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN103959468A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 安茂博章 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本技术涉及一种固态成像装置、固态成像装置制造方法和电子设备,能够提供可以防止由于放大晶体管的小型化而产生RTS噪声并因此可以实现小型化和高集成化的固态成像装置。固态成像装置(1-1)包括:作为光电转换部的光电二极管(PD);从所述光电二极管(PD)读出电荷的传输栅极(TG);通过所述传输栅极(TG)的操作读出所述光电二极管(PD)的电荷的浮动扩散部(FD);和与所述浮动扩散部(FD)连接的放大晶体管(Tr3)。更具体地,所述放大晶体管(Tr3)是全耗尽型的。这种放大晶体管包括在垂直于例如通过处理半导体层(11)的表面层形成的凸条(33)的方向上延伸的放大器栅极(AG)(栅电极)。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:光电转换部;从所述光电转换部读出电荷的传输栅极;浮动扩散部,通过所述传输栅极的操作从其读出所述光电转换部的电荷;和与所述浮动扩散部连接的全耗尽型的放大晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的