[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

光电转换部；

从所述光电转换部读出电荷的传输栅极；

浮动扩散部，通过所述传输栅极的操作从其读出所述光电转换部的电荷；和

与所述浮动扩散部连接的全耗尽型的放大晶体管。

2.如权利要求1所述的固态成像装置，其中所述放大晶体管的信道部由本征半导体形成。

3.如权利要求1所述的固态成像装置，其中所述放大晶体管包括：

通过处理半导体层的表面层形成的凸条；和

在所述半导体层上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述凸条的方向上延伸。

4.如权利要求3所述的固态成像装置，其中

多个凸条平行配置，和

所述栅电极在垂直于所述各凸条的方向上延伸。

5.如权利要求1所述的固态成像装置，其中

所述光电转换部位于半导体层内，

所述传输栅极位于通过沿着所述光电转换部处理半导体层的表面层而形成的凹部的侧壁上，和

所述浮动扩散部位于所述凹部的底部。

6.如权利要求5所述的固态成像装置，其中

所述放大晶体管包括：

通过处理所述半导体层的表面层形成的凸条；和

在所述半导体层上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述凸条的方向上延伸，和

所述凹部形成的台阶高度等于所述凸条形成的台阶高度。

7.如权利要求1所述的固态成像装置，其中

所述光电转换部包括：

形成在半导体层的表面层中的露出型的光电转换部；和

埋在所述半导体层内并在所述露出型的光电转换部上叠置的埋入型的光电转换部，所述埋入型的光电转换部面对在所述半导体层中形成的凹部的底面，和

所述浮动扩散部包括：

形成在所述半导体层的表面层中的靠近所述露出型的光电转换部的浮动扩散部，和

形成在所述凹部的底面层中的靠近所述埋入型的光电转换部的浮动扩散部。

8.如权利要求7所述的固态成像装置，其中

所述放大晶体管包括：

通过处理所述半导体层的表面层形成的凸条；和

在所述半导体层上的栅电极，所述栅电极在垂直于所述凸条的方向上延伸，和

所述凹部形成的台阶高度等于所述凸条形成的台阶高度。

9.如权利要求7所述的固态成像装置，其中在所述光电转换部上叠置的同时，由光电转换膜形成的光电转换部设置在所述半导体层的背面上。

10.一种固态成像装置，包括：

形成有凹部的半导体层；

沿着所述凹部的侧壁形成在所述半导体层内的光电转换部；

沿着所述光电转换部形成在所述凹部的侧壁上的传输栅极；和

面对所述凹部的底部形成的浮动扩散部。

11.如权利要求10所述的固态成像装置，其中所述传输栅极从所述凹部的侧壁延伸到所述凹部的底部。

12.如权利要求10所述的固态成像装置，其中所述传输栅极从所述半导体层的表面延伸到所述凹部的侧壁。

13.一种固态成像装置制造方法，包括：

通过处理半导体层的表面层形成凸条；

在所述半导体层内形成光电转换部；

在所述半导体层的表面层中形成靠近所述光电转换部的浮动扩散部；和

在所述半导体层的表面上，形成在所述光电转换部和所述浮动扩散部之间的传输栅极，和形成与所述浮动扩散部连接并在垂直于所述凸条的方向上延伸的栅电极。

14.如权利要求13所述的固态成像装置制造方法，其中

形成凸条包括在所述半导体层的表面侧上形成凹部，所述凹部形成的台阶高度等于所述凸条的高度，

形成光电转换部包括在所述半导体层内在沿着所述凹部的侧壁的位置形成光电转换部，和

形成浮动扩散部包括面对所述凹部的底部形成浮动扩散部。

15.如权利要求14所述的固态成像装置制造方法，其中所述传输栅极沿着所述光电转换部形成在所述凹部的侧壁上。