[发明专利]用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件

摘要

本发明涉及一种用于接触半导体（10）的方法以及一种用于半导体（10）的接触组件（1），其中，所述半导体（10）在至少一个第一面处通过形成具有预定厚度的第一焊接层（30）与第一接触副（20）面式地相连接。根据本发明，在所述半导体（10）上施加聚酰亚胺层（14）作为限制介质，其预定了所述半导体（10）的至少一个焊接面（12）的尺寸和/或形状。

主权项

一种用于接触半导体的方法，其中，所述半导体(10、10'、10)在至少一个第一面处通过形成具有预定厚度(LD)的第一焊接层(30、32'、34'、36'、30、80)与至少一个第一接触副(20、20'、20、60)面式地相连接，其特征在于，在所述半导体(10、10'、10)上施加耐焊接的层(14、14'、14、18')作为限制介质，所述耐焊接的层预定了所述半导体(10、10'、10)的至少一个焊接面(12、12'、12)的尺寸和/或形状，其中，所述至少一个焊接面在边缘被所述耐焊接的层完全地包围，使得在第一接触副的接触面与半导体的被包围边缘的焊接面的形状和大小匹配时，通过来自边缘包围的附着力在任意方向上都防止了半导体的漂移和旋转，其中，在所述至少一个第一接触副(20、20'、20、60)的至少一个接触面(20.2、22.2'、24.2'、26.2'、20.2)和所述耐焊接的层(14、14'、14、18')的边缘之间的侧向距离(A)根据所述焊接层(30、32'、34'、36'、30、80)的厚度(LD)进行选择。