[发明专利]用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件

权利要求书

1.一种用于接触半导体的方法，其中，所述半导体(10、10'、10")在至少一个第一面处通过形成具有预定厚度(LD)的第一焊接层(30、32'、34'、36'、30"、80")与至少一个第一接触副(20、20'、20"、60")面式地相连接，其特征在于，在所述半导体(10、10'、10")上施加耐焊接的层(14、14'、14"、18')作为限制介质，所述耐焊接的层预定了所述半导体(10、10'、10")的至少一个焊接面(12、12'、12")的尺寸和/或形状，其中，所述至少一个焊接面在边缘被所述耐焊接的层完全地包围，使得在第一接触副的接触面与半导体的被包围边缘的焊接面的形状和大小匹配时，通过来自边缘包围的附着力在任意方向上都防止了半导体的漂移和旋转，其中，在所述至少一个第一接触副(20、20'、20"、60")的至少一个接触面(20.2、22.2'、24.2'、26.2'、20.2")和所述耐焊接的层(14、14'、14"、18')的边缘之间的侧向距离(A)根据所述焊接层(30、32'、34'、36'、30"、80")的厚度(LD)进行选择。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置聚酰亚胺层(14、14'、14"、18')作为耐焊接的层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一接触副(20、20'、20"、60")的至少一个接触面(20.2、22.2'、24.2'、26.2'、20.2")的边缘被倒圆。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述边缘的倒圆通过在所述第一接触副(20、20'、20"、60")的与所述接触面(20.2、22.2'、24.2'、26.2'、20.2")相对的一侧上引入模压部(20.4、20.4')来实现。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半导体(10、10'、10")在第二面处通过形成至少一个第二焊接层(50、50'、50")与第二接触副(40、40'、40")面式地相连接。

6.一种用于半导体的接触组件，其中，所述半导体(10、10'、10")在至少一个第一面处通过形成具有预定的厚度(LD)的第一焊接层(30、32'、34'、36'、30")与至少一个第一接触副(20、20'、20"、60")面式地相连接，其特征在于，在所述半导体(10、10'、10")上施加有耐焊接的层(14、14'、14"、18')作为限制介质，所述耐焊接的层预定了所述半导体(10、10'、10")的至少一个焊接面(12、12'、12")的尺寸和/或形状，其中，所述至少一个焊接面在边缘被所述耐焊接的层完全地包围，使得通过来自边缘包围的附着力防止在第一接触副的接触面与半导体的被包围边缘的焊接面的形状和大小匹配时半导体的漂移和旋转，其中，所述耐焊接的层(14、14'、14"、18')如此施加，使得在所述至少一个第一接触副(20、20'、20"、60")的至少一个接触面(20.2、22.2'、24.2'、26.2'、20.2")和所述耐焊接的层(14、14'、14"、18')的边缘之间的侧向距离(A)相当于焊接层厚度(LD)的二至四倍。

7.根据权利要求6所述的接触组件，其特征在于，所述耐焊接的层是聚酰亚胺层(14、14'、14"、18')。

8.根据权利要求6或7所述的接触组件，其特征在于，所述焊接层(30、32'、34'、36'、30")的厚度(LD)约为50至100μm，并且所述侧向的距离(A)位于100至400μm的范围中。

9.根据权利要求6或7所述的接触组件，其特征在于，所述半导体(10、10'、10")在第二面处通过形成第二焊接层(50、50'、50")与第二接触副(40、40'、40")面式地相连接。

10.根据权利要求9所述的接触组件，其特征在于，所述第一接触副(20、20'、20"、60")为压板和/或金属卡子和/或桥，其中，所述半导体(10、10'、10")通过所述第一接触副(20、20'、20"、60")与至少一个组件(70"、90")电连接，并且其中，所述第二接触副(40、40'、40")为基质和/或电路板和/或冲压格栅和/或导热元件。

11.根据权利要求6或7所述的接触组件，其特征在于，所述第一接触副(20、20'、20"、60")具有连续的接触面(20.2、20.2")或多个接触面(22.2'、22.4'、22.6')。