[发明专利]提供用于光伏模块的单步骤氯化镉蒸气处理的方法和设备有效
| 申请号： | 201280056970.2 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN104025252B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 阿克莱斯·吉普塔;马库斯·哥劳克勒;里克·C·鲍威尔 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,王占杰 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种方法和设备，其中，在对碲化镉层进行热处理的同时，将氯化镉沉积在碲化镉层上。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 用于 模块 步骤 氯化 蒸气 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种制造光伏模块的方法，所述方法包括：在基底上形成碲化镉层；在炉中在碲化镉层上沉积氯化镉；以及在炉中对碲化镉层进行热处理，其中，沉积氯化镉的步骤与对碲化镉层进行热处理的步骤同时发生，其中，沉积氯化镉的步骤紧随形成碲化镉层的步骤，炉是控制环境炉，所述方法还包括：激活装载和出口锁或气帘，用于控制炉的内部氧水平以使氧排出并且使氯化镉进入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
