[发明专利]提供用于光伏模块的单步骤氯化镉蒸气处理的方法和设备有效
申请号: | 201280056970.2 | 申请日: | 2012-11-02 |
公开(公告)号: | CN104025252B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 阿克莱斯·吉普塔;马库斯·哥劳克勒;里克·C·鲍威尔 | 申请(专利权)人: | 第一太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/36 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强,王占杰 |
地址: | 美国俄亥俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提供 用于 模块 步骤 氯化 蒸气 处理 方法 设备 | ||
1.一种制造光伏模块的方法,所述方法包括:
在基底上形成碲化镉层;
在炉中在碲化镉层上沉积氯化镉;以及
在炉中对碲化镉层进行热处理,其中,沉积氯化镉的步骤与对碲化镉层进行热处理的步骤同时发生,其中,沉积氯化镉的步骤紧随形成碲化镉层的步骤,炉是控制环境炉,
所述方法还包括:激活装载和出口锁或气帘,用于控制炉的内部氧水平以使氧排出并且使氯化镉进入。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
在沉积氯化镉并对碲化镉层进行热处理的同时使基底传输通过炉。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,基底在带或多个辊上传输通过炉。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,碲化镉层通过布置在炉中的至少一个加热器进行热处理。
5.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:在碲化镉层上沉积氯化镉之前,在布置在炉内侧的蒸发器中蒸发氯化镉。
6.根据权利要求5所述的方法,所述方法还包括:通过扩散器将蒸发的氯化镉输入到炉中。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,在对碲化镉层进行热处理的同时,将炉维持在350℃至600℃的温度。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在对碲化镉层热处理的同时,将炉维持在400℃至450℃的温度。
9.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:在碲化镉层上沉积氯化镉之前,在布置在炉外侧的蒸发器中蒸发氯化镉。
10.根据权利要求9所述的方法,所述方法还包括:通过扩散器将蒸发的氯化镉输入到炉中。
11.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:在蒸发器中蒸发氯化镉,并且将载气供应到蒸发器,以分配蒸发的氯化镉。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,载气包括氢、氦、氮、氖、氩、氪以及它们的混合物中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,镉硫化物层设置在基底上,其中,碲化镉层设置在镉硫化物层上。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,镉硫化物层包括硫化镉锌。
15.一种处理碲化镉层的方法,所述方法包括:
在碲化镉层上沉积氯化镉;以及
对碲化镉层进行热处理,
其中,沉积氯化镉的步骤和对碲化镉层进行热处理的步骤同时发生,
所述方法还包括:在同一炉中执行沉积氯化镉的步骤和对碲化镉层进行热处理的步骤,以及
激活装载和出口锁或气帘,用于控制炉的内部氧水平以使氧排出并且使氯化镉进入,其中,炉是控制环境炉。
16.根据权利要求15所述的方法,所述方法还包括:在沉积氯化镉并对碲化镉层进行热处理的同时使基底传输通过炉。
17.根据权利要求15所述的方法,所述方法还包括:在蒸发器中以比对碲化镉层进行热处理的温度高的蒸发温度蒸发氯化镉。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,对碲化镉层进行热处理的温度为385℃至500℃。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,对碲化镉层进行热处理的温度为400℃至450℃。
20.根据权利要求15所述的方法,所述方法还包括:利用扩散器在碲化镉层上沉积氯化镉。
21.根据权利要求20所述的方法,所述方法还包括:利用载气来分配蒸发的氯化镉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第一太阳能有限公司,未经第一太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280056970.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大叶女贞栽培方法
- 下一篇:一种饲料玉米的生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造