[发明专利]包括隔热板的基板处理装置有效
| 申请号: | 201280056766.0 | 申请日: | 2012-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN103959440B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
| 发明(设计)人: | 梁日光;诸成泰;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司11285 | 代理人: | 杨勇,郑建晖 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 根据本发明的一实施方案,实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置,其包括下部腔室,其上部打开,并在一侧形成有使所述基板进出的通道;外部反应管,其用于关闭所述下部腔室中打开的上部,并提供实现所述外延工艺的工艺空间;基板支架,其在上下方向载置一个以上的所述基板,且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置;一个以上的供应喷嘴,其沿着所述外部反应管的内壁配置,并具有用于喷射所述反应气体的供应口;和一个以上的排气喷嘴,其沿着所述外部反应管的内壁配置,并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口;以及后方排气线,其连接于所述排气喷嘴,并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物,其中,所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 隔热板 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其实现对基板的工艺,其特征在于,所述基板处理装置包括:下部腔室,其上部打开,并在一侧形成有使所述基板进出的通道;外部反应管,其用于关闭所述下部腔室中的打开的上部,并提供实现所述工艺的工艺空间;基板支架,其在上下方向载置一个以上的所述基板,且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置;内部反应管,其设置于所述外部反应管的内部,并配置在位于所述工艺位置的所述基板支架的周围而划分对所述基板的反应区域;加热器,其设置于所述外部反应管的外侧,并用于加热所述工艺空间;隔热板,其设置于所述基板支架的下部,并在所述基板支架位于工艺位置时关闭所述内部反应管中的打开的下部;多个供应喷嘴,所述多个供应喷嘴沿着所述外部反应管的内壁配置,且所述多个供应喷嘴各自具有用于喷射反应气体的供应口;多个排气喷嘴,所述多个排气喷嘴沿着所述外部反应管的内壁配置,且所述多个排气喷嘴各自具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口;其中所述供应口沿着所述内部反应管的内壁在圆周方向配置以具有相位差,且被配置在彼此不同的高度以及被定位在内部反应管内;所述排气口沿着所述内部反应管的内壁在圆周方向配置以具有相位差,且被配置在彼此不同的高度以及被定位在内部反应管内;以及相对于相同的高度,以内部反应管的中心为基准,所述供应口的中心与所述排气口的中心对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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