[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

摘要

根据该GaN类HFET，形成栅极绝缘膜(17)的半绝缘膜的电阻率ρ为3.9×10⁹Ωcm，该电阻率ρ的值是电流密度为6.25×10^-4(A/cm²)时的值。通过具有电阻率ρ＝3.9×10⁹Ωcm的半绝缘膜构成的栅极绝缘膜(17)，能够得到1000V的耐受电压。如图所示，在栅极绝缘膜的电阻率超过1×10¹¹Ωcm时耐受电压急剧降低，在栅极绝缘膜的电阻率低于1×10⁷Ωcm时，栅极泄漏电流增大。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于，具有:氮化物半导体层(12，52)；源极电极(13，53)及漏极电极(14，54)，上述源极电极(13，53)与上述漏极电极(14，54)至少有一部分形成在上述氮化物半导体层(12，52)上或上述氮化物半导体层(12，52)内，并且配置成彼此隔开间隔；栅极电极(15，55)，形成在上述氮化物半导体层(12，52)上且配置在上述源极电极(13，53)与上述漏极电极(14，54)之间；栅极绝缘膜(17，57)，形成于上述栅极电极(15，55)与上述氮化物半导体层(12，52)之间；上述栅极绝缘膜(17，57)是电阻率为10⁷Ωcm至10¹¹Ωcm的半绝缘膜。