[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效

申请号：	201280055638.4	申请日：	2012-10-05
公开（公告）号：	CN103930978A	公开（公告）日：	2014-07-16
发明（设计）人：	永久哲三;吐田真一	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L21/338	分类号：	H01L21/338;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	岳雪兰
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	场效应晶体管及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种场效应晶体管，其特征在于，具有:

氮化物半导体层(12，52)；

源极电极(13，53)及漏极电极(14，54)，上述源极电极(13，53)与上述漏极电极(14，54)至少有一部分形成在上述氮化物半导体层(12，52)上或上述氮化物半导体层(12，52)内，并且配置成彼此隔开间隔；

栅极电极(15，55)，形成在上述氮化物半导体层(12，52)上且配置在上述源极电极(13，53)与上述漏极电极(14，54)之间；

栅极绝缘膜(17，57)，形成于上述栅极电极(15，55)与上述氮化物半导体层(12，52)之间；

上述栅极绝缘膜(17，57)是电阻率为10⁷Ωcm至10¹¹Ωcm的半绝缘膜。

2.如权利要求1上述的场效应晶体管，其特征在于，上述氮化物半导体层(12，52)为GaN类半导体层(12，52)。

3.如权利要求1或2上述的场效应晶体管，其特征在于，在上述源极电极(13，53)与上述漏极电极(14，54)之间还具有形成在所述氮化物半导体层(12，52)上且用来抑制电流崩塌的绝缘膜(18，58)。

4.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，形成源极电极(13)及漏极电极(14)，上述源极电极(13)与上述漏极电极(14)至少有一部分形成在氮化物半导体层(12)上或上述氮化物半导体层(12)内，并且上述源极电极(13)与上述漏极电极(14)彼此隔开间隔；

在上述氮化物半导体层(12)上且在上述源极电极(13)与上述漏极电极(14)之间，以电阻率为10⁷Ωcm至10¹¹Ωcm的半绝缘膜形成栅极绝缘膜(17)；

在上述栅极绝缘膜(17)上形成栅极电极(15)。

5.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在氮化物半导体层(52)上形成用来抑制电流崩塌的第一绝缘膜(68)；

通过蚀刻除去上述第一绝缘膜(68)中预先确定的区域，使上述氮化物半导体层(52)的预先确定的区域露出；

在上述第一绝缘膜(68)上和从上述第一绝缘膜(68)露出的上述氮化物半导体层(52)上形成第二绝缘膜(70)；

通过蚀刻除去上述第二绝缘膜(70)中预先确定的区域，使上述氮化物半导体层(52)的上述预先确定的区域露出；

在上述第二绝缘膜(70)上和从上述第二绝缘膜(70)露出的上述氮化物半导体层(52)的上述预先确定的区域上形成由电阻率为10⁷Ωcm至10¹¹Ωcm的半绝缘膜形成的栅极绝缘膜(57)；

在上述栅极绝缘膜(57)上对栅极金属进行蒸镀而形成栅极电极(55)。

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