[发明专利]压延铜箔有效
| 申请号： | 201280055281.X | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103917683A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吉田和生;相宫奈央子;浅见和彦;西田龙司 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社;古河AS株式会社 |
| 主分类号： | C22F1/08 | 分类号： | C22F1/08;B21B1/40;B21B3/00;H05K1/09;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种压延铜箔，由铜或铜合金的结晶粒构成，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2μm以上6μm以下，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为1％以上6％以下，且通过EBSD(electron backscatter diffraction：电子背散射衍射)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(1)所计算的粒内变形率在0.5％以上10％以下：式(1)粒内变形率(％)＝(A)/(B)×100(上述式(1)中，(A)表示通过图像解析识别出的取向差在1度以上15度以下的区域的面积，(B)表示通过图像解析识别出的取向差在0度以上15度以下的区域的面积)。 | ||
| 搜索关键词： | 压延 铜箔 | ||
【主权项】：
一种压延铜箔，由铜或铜合金的结晶粒构成，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2μm以上6μm以下，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为1％以上6％以下，且通过EBSD(electron backscatter diffraction：电子背散射衍射)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(1)所计算的粒内变形率在0.5％以上10％以下:式(1)粒内变形率(％)＝(A)/(B)×100上述式(1)中，(A)表示通过图像解析识别出的取向差在1度以上15度以下的区域的面积，(B)表示通过图像解析识别出的取向差在0度以上15度以下的区域的面积。
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