[发明专利]具有表面钝化的背面的双面接触的半导体晶圆太阳能电池

摘要

本发明涉及一种具有表面钝化的背面的双面接触的半导体晶圆太阳能电池(31)，其具有：由半导体材料构成的半导体晶圆，该半导体晶圆具有用于光线入射的具有正面电极结构的正面以及借助介电的钝化层进行表面钝化的背表面(38)，在钝化层上布置有包含被烧结的金属颗粒的背面金属电极结构(39)，并且背面金属电极结构(39)通过多个局部的接触区域(36)与半导体晶圆的半导体材料电接触，其中，接触区域(36)被构造成钝化层的开口并且整体上电接触面占据5％以下，优选地2％以下的背表面(38)。根据本发明规定：背面金属电极结构(39)覆盖小于95％但大于6％、10％、20％或50％，优选地小于75％但大于6％、10％、20％或50％，尤其优选地小于50％但大于6％、10％或20％或小于25％但大于6％或10％的背表面(38)。

主权项

一种具有表面钝化的背面的双面接触的半导体晶圆太阳能电池(11、21、31、41、51)，具有：设置用于光线入射的正面(13)，具有正面电极结构(15)；以及背面，具有借助介电的钝化层进行表面钝化的背表面(28、38、48、58)，并且在所述钝化层上布置有包含被烧结的金属颗粒的背面金属电极结构(29、39、49、59)，并且所述背面金属电极结构(29、39、49、59)通过多个局部的接触区域(36、46)与半导体晶圆的半导体材料电接触，其中，所述接触区域(36、46)被构造成钝化层的开口并且整体上电接触面占据5％以下，优选地2％以下的背表面(28、38、48、58)，其特征在于，所述背面金属电极结构覆盖小于95％但大于6％、10％、20％或50％，优选地小于75％但大于6％、10％、20％或50％，尤其优选地小于50％但大于6％、10％或20％或小于25％但大于6％或10％的背表面(28、38、48、58)。