[发明专利]具有表面钝化的背面的双面接触的半导体晶圆太阳能电池

权利要求书

1.一种具有表面钝化的背面的双面接触的半导体晶圆太阳能电池(11、21、31、41、51)，具有：

设置用于光线入射的正面(13)，具有正面电极结构(15)；以及

背面，具有借助介电的钝化层进行表面钝化的背表面(28、38、48、58)，并且在所述钝化层上布置有包含被烧结的金属颗粒的背面金属电极结构(29、39、49、59)，并且所述背面金属电极结构(29、39、49、59)通过多个局部的接触区域(36、46)与半导体晶圆的半导体材料电接触，其中，所述接触区域(36、46)被构造成钝化层的开口并且整体上电接触面占据5％以下，优选地2％以下的背表面(28、38、48、58)，

其特征在于，所述背面金属电极结构覆盖小于95％但大于6％、10％、20％或50％，优选地小于75％但大于6％、10％、20％或50％，尤其优选地小于50％但大于6％、10％或20％或小于25％但大于6％或10％的背表面(28、38、48、58)。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41、51)，其特征在于，所述钝化层和/或所述半导体材料自由地放置在没有被所述背面金属电极结构(29、39、49、59)覆盖的自由区域(24、34、44、54)中并且所述背面金属电极结构(29、39、49、59)具有电池连接接触部件(22、32、42、52)。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41、51)，其特征在于，所述自由区域(24、34、44、54)具有相同的形状。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、51)，其特征在于，所述自由区域(24、34、54)具有相同的尺寸。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41)，其特征在于，所述自由区域(24、34、44)具有圆形、星形、线形或楔形的形状。

6.根据权利要求2至5中任意一项所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41、51)，其特征在于，所述自由区域(24、34、44、54)均匀地分布在80％以上的背表面(28、38、48、58)之上。

7.根据权利要求2至5中任意一项所述的半导体晶圆太阳能电池(21、41、51)，其特征在于，所述自由区域(24、44、54)以如下方式分布在所述背表面((28、48、58)之上，即，所述自由区域(24、44、54)的表面比例与所述背面金属电极结构(29、49、59)的表面比例相比随着与所述电池连接接触部件(22、42、52)的间距的增大而增大。

8.根据权利要求2至7中任意一项所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41、51)，其特征在于，所述背面金属电极结构(29、39、49、59)具有随着与所述电池连接接触部件(22、32、42、52)的间距的增大而减小的层厚度。

9.根据权利要求7或8所述的半导体晶圆太阳能电池(31、41)，其特征在于，所述接触区域(36、46)被布置在所述背表面(38、48)上的通常为二维的接触栅中，其中，所述自由区域(34、44)分布地布置在所述接触栅的中间区域中。

10.根据上述权利要求中任意一项所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41、51)，其特征在于，所述钝化层被构造成薄层堆叠。

11.根据权利要求10所述的半导体晶圆太阳能电池(21、31、41、51)，其特征在于，所述薄层堆叠具有作为最上层的附着力增强剂层。

12.一种太阳能模块，具有正面封装层、多个彼此电连接的根据权利要求1至11中任意一项所述的半导体晶圆太阳能电池以及背面封装层，其中，在所述背面封装层和所述半导体晶圆太阳能电池的所述背表面之间包含嵌入材料。