[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 201280053618.3 | 申请日： | 2012-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103975449A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | A.罗赫特菲尔德;A.格杰 | 申请（专利权）人： | 安伯韦弗公司 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;徐红燕 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本文中描述了用于多结太阳能电池的器件、系统和方法。示例性硅锗太阳能电池结构具有基板，并且在基板上生长了渐变缓冲层。在渐变缓冲层中或上面生长了用于第一太阳能电池的基极层和发射极层。在发射极层与基极层之间提供第一结。在第一太阳能电池的顶部上生长第二太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种多太阳能电池结构，包括：基板；渐变缓冲层，其在基板上生长；在渐变缓冲层内的第一太阳能子电池；以及第二太阳能子电池，其在第一太阳能子电池的顶部上生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
