[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种多太阳能电池结构，包括：

基板；

渐变缓冲层，其在基板上生长；

在渐变缓冲层内的第一太阳能子电池；以及

第二太阳能子电池，其在第一太阳能子电池的顶部上生长。

2.权利要求1的多太阳能电池结构，其中，所述基板是硅，所述渐变缓冲层组份是渐变硅锗，并且所述第二太阳能子电池由GaAsP或其它III-V材料组成。

3.权利要求1的多太阳能电池结构，还包括在第二太阳能子电池的顶部上的顶部接触。

4.权利要求1的多太阳能电池结构，其中，所述基板是具有n型掺杂材料的单晶硅基板。

5.权利要求1的多太阳能电池结构，其中，所述基板是冶金级单晶硅。

6.权利要求1的多太阳能电池结构，其中，所述渐变缓冲层是具有每微米约10%—25%锗的渐变率的SiGe。

7.权利要求1的多太阳能电池结构，其中，所述渐变缓冲层具有70—85%锗组份的最终渐变SiGe层。

8.权利要求1的多太阳能电池结构，还包括与渐变缓冲层对接且与渐变缓冲层的最终锗组份近似匹配的背表面场层。

9.权利要求1的多太阳能电池结构，还包括在第一太阳能子电池与第二太阳能子电池之间的隧道结。

10.权利要求9的多太阳能电池结构，还包括在隧道结与第二太阳能子电池之间的过渡层。

11.一种制作多结太阳能电池的方法，包括如下动作：

提供硅基板；

在基板上生长硅锗渐变缓冲层；

在渐变缓冲层内或顶部上生长第一太阳能子电池基极层和第一太阳能子电池发射极层；以及

在第一太阳能子电池吸收体层和第一太阳能子电池发射极层的顶部上生长GaAsP或其它III-V材料的第二太阳能子电池基极层和第二太阳能子电池发射极层。

12.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，还包括如下动作：

在第二太阳能子电池基极层和第二太阳能子电池发射极层的顶部上构造顶部接触并在顶部接触的顶部上构造透明基板。

13.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，还包括如下动作：

去除硅基板的一部分。

14.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，其中，所述基板是冶金级单晶硅。

15.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，其中，所述渐变缓冲层是具有每微米约10%—25%锗的渐变率的SiGe。

16.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，其中，所述渐变缓冲层具有70—85%锗组份的最终渐变SiGe层。

17.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，还包括如下动作：

构造与渐变缓冲层对接且与渐变缓冲层的最终锗组份近似匹配的背表面场层。

18.权利要求11的制作多结太阳能电池的方法，还包括如下动作：

在第一太阳能子电池与第二太阳能子电池之间构造隧道结。

19.权利要求18的制作多结太阳能电池的方法，还包括如下动作：

在隧道结与第二太阳能子电池之间构造过渡层。

20.一种多太阳能电池结构，包括：

具有n型掺杂的单晶硅基板；

在基板上生长的硅锗渐变缓冲层，具有每微米约10%—25%锗的渐变率和70—85%锗组份的最终等级；

在渐变缓冲层上的SiGe的第一太阳能子电池；

在第一太阳能子电池的顶部上生长的GaAsP或其它III-V材料的第二太阳能子电池；以及

在第一太阳能子电池与第二太阳能子电池之间的隧道结和在隧道结与第二太阳能子电池之间的过渡层。