[发明专利]充当有机光电装置中的空穴传输层的P型过渡金属氧化物类膜在审
| 申请号： | 201280052723.5 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103907196A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 巩雄;杨庭斌 | 申请（专利权）人： | 阿克伦大学 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;张苗 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对制造具有空穴收集电极的半导体装置的方法的一种改进包括用p型过渡金属氧化物经由溶胶-凝胶法涂布所述空穴收集电极。 | ||
| 搜索关键词： | 充当 有机 光电 装置 中的 空穴 传输 过渡 金属 氧化 物类 | ||
【主权项】：
在一种制造具有空穴收集电极的半导体装置的方法中，改进之处包括：用p型过渡金属氧化物经由溶胶‑凝胶法涂布所述空穴收集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
