[发明专利]充当有机光电装置中的空穴传输层的P型过渡金属氧化物类膜

权利要求书

1.在一种制造具有空穴收集电极的半导体装置的方法中，改进之处包括：

用p型过渡金属氧化物经由溶胶-凝胶法涂布所述空穴收集电极。

2.在根据权利要求1所述的方法中，其中所述p型过渡金属氧化物是选自MoO₃、V₂O₅、NiO和WO₃。

3.在根据权利要求2所述的方法中，其中所述半导体装置是有机光电装置。

4.在根据权利要求3所述的方法中，其中所述有机光电装置是选自光伏打电池、发光二极管和光探测器。

5.在根据权利要求4所述的方法中，其中所述有机光电装置是本体异质结光伏打电池。

6.在根据权利要求5所述的方法中，其中所述本体异质结光伏打电池包括异质结活性层，其包括电子供体与电子受体材料的聚合物共混物。

7.在根据权利要求6所述的方法中，其中所述电子供体是PBDT-DTNT并且所述电子受体是PC71-BM。

8.在根据权利要求7所述的方法中，其中所述空穴收集电极是氧化铟锡。

9.在根据权利要求8所述的方法中，其中所述异质结光伏打电池包括铝电子收集电极。

10.在根据权利要求9所述的方法中，其中所述p型过渡金属氧化物是MoO₃。

11.在根据权利要求2所述的方法中，其中所述p型过渡金属氧化物是MoO₃。

12.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供阳极；提供包括聚合物的活性层；提供阴极；用源自溶胶-凝胶法的p型过渡金属氧化物薄膜涂布所述阳极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述过渡金属氧化物薄膜是选自MoO₃、V₂O₅、NiO和WO₃。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述过渡金属氧化物薄膜是MoO₃。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述阳极是氧化铟锡，并且所述活性层是PBDT-DTNT和PC71-BM的聚合物共混物。