[发明专利]结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法无效
| 申请号： | 201280051761.9 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103890139A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 洪亨杓;李在连;朴勉奎;林大成 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨黎峰;石磊 |
| 地址： | 韩国全罗*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法，更详细涉及如下结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法：通过包含由具有氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子，在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时，能够形成使不同位置的织构的质量偏差变得最小以增加光效率并降低反射率的、特定结构的金字塔。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 晶片 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含：由至少具有一个氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东友精细化工有限公司，未经东友精细化工有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280051761.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：输入设备和输入设备处理方法
- 下一篇：具有支撑作用的手机套
