[发明专利]结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法

权利要求书

1.一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，所述组合物包含：由至少具有一个氮原子的碳数为4～10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子。

2.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，在所述单体的环结构中，还具有氧原子以及硫原子中的至少一个原子。

3.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述单体是从N-乙烯吡咯烷酮、N-丙烯酰吗啉、N-乙烯基琥珀酰亚胺、N-丙烯酰氧基琥珀酰亚胺、N-乙烯基己内酰胺、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯酰基吡咯烷中选出的一种以上单体。

4.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述高分子的重均分子量为1,000～1,000,000。

5.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述高分子的沸点为100℃以上。

6.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物包含：相对于蚀刻液组合物总重量的、10^-12～1重量%的所述高分子。

7.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物还包含碱性化合物。

8.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物还包含多糖类。

9.根据权利要求7所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述碱性化合物是从氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四羟基甲胺以及四羟基乙胺中选出的一种以上碱性化合物。

10.根据权利要求8所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述多糖类是从葡聚糖类化合物、果聚糖类化合物、甘露聚糖类化合物、半乳聚糖类化合物以及它们的金属盐中选出的一种以上多糖。

11.根据权利要求8所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述多糖类是从纤维素、二甲氨基乙基纤维素、二乙氨基乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、4-氨基苄基纤维素、三乙基氨基乙基纤维素、氰乙基纤维素、乙基纤维素、甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧乙基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、藻酸、直链淀粉、支链淀粉、果胶、淀粉、糊精、α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精、羟丙基-β-环糊精、甲基-β-环糊精、右旋糖酐、右旋糖酐硫酸钠、皂甙、糖原、酵母聚糖、香菇多糖、西佐糖以及它们的金属盐中选出的一种以上葡聚糖类化合物。

12.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物还包含磺酸盐类阴离子表面活性剂。

13.根据权利要求12所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸盐类阴离子表面活性剂是从PEG-12聚二甲基硅氧烷磺基琥珀酸二钠、二辛基磺基琥珀酸钠、十二烷基苯磺酸钠、月桂基磺基琥珀酸二钠、PEG-12聚二甲基硅氧烷磺基琥珀酸二钾、二己基磺基琥珀酸钠、二月桂基磺基琥珀酸钠、二辛基磺基琥珀酸钾、二己基磺基琥珀酸钾、二月桂基磺基琥珀酸钾以及月桂基磺基琥珀酸二钾中选出的一种以上磺酸盐类阴离子表面活性剂。

14.根据权利要求1所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物还包含二氧化硅化合物。

15.根据权利要求14所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述二氧化硅化合物是从如下化合物中选出的一种以上化合物：微粉末二氧化硅；使Na₂O稳定的二氧化硅胶体分散液；使K₂O稳定的二氧化硅胶体分散液；使酸性液体稳定的二氧化硅胶体分散液；使NH₃稳定的二氧化硅胶体分散液；使选自乙醇、丙醇、乙二醇、丁酮以及甲基异丁基酮中的一种以上有机溶剂稳定的二氧化硅胶体分散液；液态硅酸钠；液态硅酸钾；以及液态硅酸锂。

16.根据权利要求14所述的结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物包含：相对于蚀刻液组合物总重量的、10^-5～10重量%的所述二氧化硅化合物。