[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法

摘要

一种半导体装置，其具有半导体衬底，所述半导体衬底包括：体区域；漂移区；沟槽，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离。特定层配置在所述沟槽的底部上，并且它具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性。绝缘层覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁。导电部形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上。所述导电部被接合至所述特定层，且到达所述半导体衬底的所述表面。

主权项

一种半导体装置(100；200；300)，包括：半导体衬底(102；202；302)，其包括：体区域(141；241；341)，其为第一导电型；漂移区(112；212；312)，其为第二导电型，所述体区域层叠在所述漂移区的表面上或该表面上方；沟槽(113；213；313)，其从所述半导体衬底的表面延伸穿过所述体区域进入所述漂移区；以及源极区域(131；231)，其为所述第二导电型，所述源极区域被定位为在暴露于所述半导体衬底的所述表面的范围内与所述沟槽邻接，所述源极区域通过所述体区域而与所述漂移区隔离；源电极(133；233；333)，其电连接至所述源极区域；漏电极(111；211；311)，其形成在所述半导体衬底的后表面上；特定层(181；281；381)，其被配置在所述沟槽的底部上，并且具有在所述特定层与所述漂移区之间的接合部分处形成耗尽层的特性；绝缘层(171；271；371)，其覆盖所述特定层的上表面和所述沟槽的侧壁；栅电极(122；222；322)，其形成在覆盖有所述绝缘层的所述沟槽内；以及导电部(182；292；390)，其在所述半导体衬底的深度方向上沿着所述沟槽的所述侧壁形成在所述沟槽的所述侧壁的一部分上，所述导电部具有第一端部和第二端部，其中所述第一端部被接合至所述特定层，且所述第二端部到达所述半导体衬底的所述表面，所述导电部连接至所述源电极，其特征在于所述特定层包括金属层。