[发明专利]光刻设备和方法有效
| 申请号： | 201280051468.2 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103917920A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | A·杰斯波特森;H·A·盖里奇;N·达维多娃;B·西格斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种光刻设备，包括：构造成支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置能够将图案在EUV辐射束的横截面上赋予EUV辐射束以形成图案化的EUV辐射束；和投影系统，配置成将图案化的EUV辐射束投影到衬底的目标部分上，其中支撑结构设置有光栅，所述光栅包括一系列第一反射部分和第二反射部分，该一系列第一反射部分与该一系列第二反射部分交替，第二反射部分的反射率小于第一反射部分的至少一部分的反射率并且大于零。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻设备，包括：支撑结构，构造用以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在EUV辐射束的横截面上赋予EUV辐射束以形成图案化的EUV辐射束；和投影系统，配置成将图案化的EUV辐射束投影到衬底的目标部分上，其中，支撑结构设置有光栅（100,110），所述光栅包括一系列第一反射部分（102,112）和一系列第二反射部分（104,114），该一系列第一反射部分与该一系列第二反射部分交替，第二反射部分（104,114）的反射率小于第一反射部分（102,112）的至少一部分的反射率并且大于零。
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