[发明专利]光刻设备和方法

权利要求书

1.一种光刻设备，包括：

支撑结构，构造用以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在EUV辐射束的横截面上赋予EUV辐射束以形成图案化的EUV辐射束；和

投影系统，配置成将图案化的EUV辐射束投影到衬底的目标部分上，

其中，支撑结构设置有光栅（100,110），所述光栅包括一系列第一反射部分（102,112）和一系列第二反射部分（104,114），该一系列第一反射部分与该一系列第二反射部分交替，第二反射部分（104,114）的反射率小于第一反射部分（102,112）的至少一部分的反射率并且大于零。

2.如权利要求1所述的光刻设备，其中第一反射部分是非图案化区并且第二反射部分是非图案化区。

3.如权利要求2所述的光刻设备，其中第一反射部分是矩形的并且第二反射部分是矩形的。

4.如权利要求1所述的光刻设备，其中第一反射部分每一个包括具有反射线（116）和吸收线（118）的子光栅，并且第二反射部分包括非图案化区。

5.如权利要求4所述的光刻设备，其中光栅（110）还包括一系列吸收部分（115），所述一系列吸收部分位于第一和第二反射部分（112和114）之间。

6.如权利要求4或5所述的光刻设备，其中光栅（110）配置成使得由第一反射部分（112）反射并且被衬底（W）接收的辐射的平均强度基本上等于由第二反射部分（114）反射且被衬底接收的辐射的平均强度。

7.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中第二反射部分包括位于反射镜之上的吸收材料层，所述吸收材料层允许透射一些EUV辐射，使得一些辐射被从反射镜反射并返回穿过吸收材料层。

8.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中第二反射部分（104,114）的反射率是第一反射部分的所述至少一部分的反射率的大约一半。

9.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中支撑结构设置有第二光栅（110b），所述第二光栅具有与前述光栅（110,110a）相反的方向。

10.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中支撑结构设置有附加光栅，所述附加光栅横向于前述光栅(100,110)延伸。

11.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中第二反射部分（104,114）的反射率足够高以使得在使用中相当大量的EUV辐射将从第二反射部分被反射。

12.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中第二反射部分(104,114)的反射率足够高以使得在使用中从第二反射部分反射的EUV辐射将对在衬底（W）上的抗蚀剂中形成的光栅(100,110)的图像产生可测量的影响。

13.一种图案形成装置，设置有光栅，所述光栅包括一系列第一反射部分和一系列第二反射部分，该一系列第一反射部分与该一系列第二反射部分交替，第二反射部分的反射率小于第一反射部分的至少一部分的反射率并且大于零。

14.一种用于测量由光刻设备投影到衬底上的辐射的剂量的方法，所述方法包括：使用EUV辐射照射根据权利要求2或3所述的光栅和使用光刻设备将该光栅成像到衬底上的抗蚀剂中，随后使用光刻设备的对准设备测量被成像的光栅的重心。

15.一种用于测量光刻设备的焦平面的位置的方法，所述方法包括：使用EUV辐射照射根据权利要求4-6中任一项所述的光栅和使用光刻设备将该光栅成像到衬底上的抗蚀剂中，随后使用光刻设备的对准设备测量被成像的光栅的重心。