[发明专利]液体靶材的溅射系统有效
申请号: | 201280049814.3 | 申请日: | 2012-08-10 |
公开(公告)号: | CN103890975A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | D·R·霍拉斯 | 申请(专利权)人: | 纳沃萨恩公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;C23C14/34 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 溅射系统,包含在衬底上沉积液态金属膜的磁控管组件。所述磁控管组件包含具有液态金属靶的水平平面磁控管、具有金属靶的圆柱形可旋转磁控管、和在所述平面和所述可旋转磁控管之间形成室的一组一个或多个护罩。 | ||
搜索关键词: | 液体 溅射 系统 | ||
【主权项】:
用于在衬底上沉积膜的溅射系统,所述溅射系统包括:磁控管组件,所述磁控管组件包含:可旋转磁控管,其与水平磁控管相邻;和在所述可旋转磁控管和所述水平磁控管之间形成室的一个或多个护罩,其中所述水平磁控管被构造成含有具有第一材料的液体靶,并提供导向所述可旋转磁控管的具有所述第一材料的材料流,和其中所述可旋转磁控管被构造成使具有第二材料的固体靶相对于所述水平磁控管旋转,并基于所述可旋转磁控管而提供导向衬底的具有所述第一和第二材料的材料流。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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