[发明专利]液体靶材的溅射系统

权利要求书

1.用于在衬底上沉积膜的溅射系统，所述溅射系统包括：

磁控管组件，所述磁控管组件包含：

可旋转磁控管，其与水平磁控管相邻；和

在所述可旋转磁控管和所述水平磁控管之间形成室的一个或多个护罩，

其中所述水平磁控管被构造成含有具有第一材料的液体靶，并提供导向所述可旋转磁控管的具有所述第一材料的材料流，和

其中所述可旋转磁控管被构造成使具有第二材料的固体靶相对于所述水平磁控管旋转，并基于所述可旋转磁控管而提供导向衬底的具有所述第一和第二材料的材料流。

2.权利要求1的溅射系统，其中所述第一材料具有第一熔点，所述第二材料具有第二熔点，并且其中所述第一熔点低于所述第二熔点。

3.权利要求1或2的溅射系统，其中所述第一材料是镓，所述第二材料是铟。

4.权利要求1的溅射系统，其中所述可旋转磁控管的形状是至少部分圆柱形的。

5.权利要求1的溅射系统，其中所述水平磁控管包含与磁控管体相邻的背衬板，并且其中所述磁控管体包括一个或多个磁体以及所述背衬板适合容纳所述液体靶。

6.权利要求1的溅射系统，其中所述可旋转磁控管包含适合使所述固体靶相对于所述水平磁控管旋转的支撑构件。

7.权利要求1的溅射系统，其中所述水平磁控管适合于包含具有第三材料的另一种液体。

8.权利要求1的溅射系统，其中所述水平磁控管被构造成在所述室中提供所述第一材料的流。

9.权利要求1的溅射系统，其还包含与所述水平磁控管相邻的另外的水平磁控管，其中所述另外的水平磁控管被构造成在所述室中提供第三材料流。

10.权利要求1的溅射系统，其还包含与所述磁控管组件相邻的另外的磁控管组件，其中所述另外的磁控管组件被构造成提供去往所述衬底的第三材料的流。

11.权利要求10的溅射系统，其中所述磁控管组件被包围在具有适合于暴露所述衬底的开口的另外的室中。

12.权利要求10的溅射系统，其还包含与所述磁控管组件或所述另外的磁控管组件相邻的第四材料的源。

13.权利要求12的溅射系统，其中所述第四材料是硫或硒。

14.权利要求10或13的溅射系统，其中所述第一材料是镓，所述第二材料是铟或铜，以及所述第三材料是铜或铟。

15.权利要求1的溅射系统，其还包含与所述磁控管组件相邻的第三材料的源。

16.权利要求15的溅射系统，其中所述第三材料是硫或硒。

17.用于在衬底上沉积膜的溅射系统，所述溅射系统包括：

（a）水平磁控管，其适于包含具有第一材料的液体靶并提供具有所述第一材料的材料流；

（b）接近所述水平平面磁控管的可旋转磁控管，所述可旋转磁控管适于包含具有第二材料的固体靶并基于所述可旋转磁控管而提供导向衬底的具有所述第一和第二材料的材料流；和

（c）在所述水平磁控管和所述可旋转磁控管之间形成室的一个或多个护罩。

18.权利要求17的溅射系统，其中所述第一材料具有第一熔点和所述第二材料具有第二熔点，并且其中所述第一熔点低于所述第二熔点。

19.权利要求17或18的溅射系统，其中所述第一材料是镓，所述第二材料是铟。

20.权利要求17的溅射系统，其中所述可旋转磁控管的形状是至少部分圆柱形的。

21.权利要求17的溅射系统，其中所述水平磁控管包含与磁控管体相邻的背衬板，并且其中所述磁控管体包括一个或多个磁体以及所述背衬板适于容纳所述液体靶。

22.权利要求17的溅射系统，其中所述可旋转磁控管包含适合使所述固体靶相对于所述水平磁控管旋转的支撑构件。

23.权利要求17的溅射系统，其中所述水平磁控管适于包含具有第三材料的另一种液体。

24.权利要求17的溅射系统，其中所述水平磁控管被构造成在所述室中提供所述第一材料的流。