[发明专利]集成电路的单块单元并且尤其是单块转换单元有效
| 申请号： | 201280049682.4 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104011861B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | A·布伦纳尼;M·布莱尔杜普伊;F·理查德尤;J-L·桑德切 | 申请（专利权）人： | 国家科研中心;图卢兹聚合技术国家研究所 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L27/088;H01L27/082;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一种单元包含至少两个相同类型的关于电压和电流呈现单向的半导体结构，每个结构具有阳极（10）、阴极（14）和可选的栅极（16）。所述结构集成到同一个半导体衬底（4）的体积中，阴极（14）和可选的栅极（16）位于半导体衬底（4）的第一表面上。阳极（10）位于半导体衬底（4）的与第一表面相对的第二表面上与阴极和可选的栅极相对。两个不同结构的电极，阳极或阴极，被相互电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 单元 并且 尤其是 转换 | ||
【主权项】：
一种集成电路的单块单元，包含至少两个相同类型的关于电压和电流呈现单向的半导体结构，每个半导体结构具有阳极(10)和阴极(14)，其特征在于，每个半导体结构与允许其反向导通的二极管相关联，至少两个所述半导体结构集成到同一个半导体衬底(4)的体积中，在半导体衬底(4)的第一表面上，每个半导体结构的阴极(14)位于第一预定区域中，每个半导体结构的阳极(10)位于半导体衬底(4)的与第一表面相对的第二表面上的第二区域中，每个半导体结构的第二区域与该半导体结构的第一预定区域相对，并且，相同类型的不同半导体结构的、选自包含阳极的组的电极或者选自包含阴极的组的电极被相互电连接，并且P+和N+扩散位于每个半导体结构的阳极处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
