[发明专利]集成电路的单块单元并且尤其是单块转换单元有效

申请号：	201280049682.4	申请日：	2012-10-09
公开（公告）号：	CN104011861B	公开（公告）日：	2017-10-10
发明（设计）人：	A·布伦纳尼;M·布莱尔杜普伊;F·理查德尤;J-L·桑德切	申请（专利权）人：	国家科研中心;图卢兹聚合技术国家研究所
主分类号：	H01L27/08	分类号：	H01L27/08;H01L27/088;H01L27/082;H01L21/8234
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038	代理人：	郭思宇
地址：	法国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	集成电路单元并且尤其是转换
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【权利要求书】：

1.一种集成电路的单块单元，包含至少两个相同类型的关于电压和电流呈现单向的半导体结构，每个半导体结构具有阳极(10)和阴极(14)，其特征在于，每个半导体结构与允许其反向导通的二极管相关联，至少两个所述半导体结构集成到同一个半导体衬底(4)的体积中，在半导体衬底(4)的第一表面上，每个半导体结构的阴极(14)位于第一预定区域中，每个半导体结构的阳极(10)位于半导体衬底(4)的与第一表面相对的第二表面上的第二区域中，每个半导体结构的第二区域与该半导体结构的第一预定区域相对，并且，相同类型的不同半导体结构的、选自包含阳极的组的电极或者选自包含阴极的组的电极被相互电连接，并且P+和N+扩散位于每个半导体结构的阳极处。

2.根据权利要求1所述的单块单元，其特征在于，相邻的两个半导体结构的阳极(10)被相互电连接。

3.根据权利要求2所述的单块单元，其特征在于，相邻的两个阳极之间的电连接是通过半导体衬底(4)在其处于两个阳极(10)之间的第二面上的金属化实现的，以及，半导体衬底在所述金属化的附近具有N+区域并在所涉及的两个半导体结构之间具有N-区域。

4.根据权利要求1所述的单块单元，其特征在于，相邻的两个半导体结构的阴极(14)被电连接。

5.根据权利要求4所述的单块单元，其特征在于，P+型垂直壁体在两个半导体结构之间实施。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的单块单元，其特征在于，半导体衬底(4)是由硅制成的。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的单块单元，其特征在于，每个半导体结构与二极管对应。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的单块单元，其特征在于，每个半导体结构是关于电压和电流呈现单向的半导体开关结构。

9.根据权利要求8所述的单块单元，其特征在于，每个半导体开关结构被提供有至少一个控制电极。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的单块单元，其特征在于，每个半导体结构是反向导通绝缘栅极双极晶体管，反向导通绝缘栅极双极晶体管被提供有至少一个控制电极，在半导体衬底中与允许其反向导通的二极管相关联，并且关于电压和电流呈现单向。

11.根据权利要求1所述的单块单元，其特征在于，每个半导体结构还具有栅极(16)，所述栅极(16)位于第一预定区域中。

12.一种整流器桥，其特征在于包括根据权利要求2所述的单块单元和根据权利要求4所述的单块单元。

13.一种逆变器桥，其特征在于，它包括根据权利要求2所述的单块单元和根据权利要求4所述的单块单元。