[发明专利]存储器单元及存储器单元阵列

摘要

一些实施例包含存储器单元。所述存储器单元可具有第一电极，及在所述第一电极之上的沟槽形状的可编程材料结构。所述沟槽形状界定开口。所述可编程材料可经配置以可逆地保持导电桥。所述存储器单元可具有直接抵着所述可编程材料的离子源材料，并且可具有在由所述沟槽形状的可编程材料界定的所述开口内的第二电极。一些实施例包含存储器单元阵列。所述阵列可具有第一导电线，及在所述第一线之上的沟槽形状的可编程材料结构。所述沟槽形状的结构可界定其内的开口。离子源材料可直接抵着所述可编程材料，并且第二导电线可在所述离子源材料之上并且在由所述沟槽形状的结构界定的所述开口内。

主权项

一种存储器单元阵列，其包括：沿第一方向延伸的第一导电线；在所述第一导电线之上的多个沟槽形状的可编程材料结构；所述沟槽形状的可编程材料结构沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；各个沟槽形状的可编程材料结构具有界定于其中的开口，所述开口延伸进入所述可编程材料，且沿着所述开口的底部和侧部具有可编程材料，所述沟槽形状的可编程材料结构经配置以可逆地保持各个存储器单元内的导电桥以在低与高电阻状态之间转变所述存储器单元；离子源材料，其由所述各个存储器单元包含并且直接抵着所述沟槽形状的可编程材料结构；第二导电线，其延伸到由所述沟槽形状的可编程材料结构界定的所述开口中；各个存储器单元包括直接在所述第一及第二导电线之间的可编程材料及离子源材料的区域；且其中所述第一及第二导电线及在所述第一及第二导电线之间的所述可编程材料及离子源材料一起形成所述阵列的第一层级；所述层级具有从所述第一导电线到所述第二导电线的垂直布置；并且进一步包括在所述第一层级之上的第二层级；所述第二层级具有与所述第一层级相同的垂直布置或具有相对于所述第一层级的相反垂直布置。