[发明专利]用于控制电压升压电路的电路

摘要

用于控制电压升压电路（2）的电路，包括‑第一PNP晶体管（4），其射极（E1）连接至输入电压（Vin）；‑第二NPN晶体管（6），其集极（C2）连接到第一晶体管（4）的集极（C1），第二晶体管（6）的射极（E2）连接至地，其特征在于，所述第二晶体管（6）的射极（E2）经由第一电阻器（12）连接到地，其基极（B2）通过至少一个二极管（14，16，18）连接至地。

主权项

一种电压升压电路(2)，包括用于控制电压升压电路(2)的电路和输出级(10)，其中，所述用于控制电压升压电路(2)的电路包括‑第一PNP晶体管(4)，其射极(E1)连接至输入电压(Vin)；‑第二NPN晶体管(6)，其集极(C2)连接到第一晶体管(4)的集极(C1)，第二晶体管(6)的射极(E2)连接至地，其特征在于，所述第二晶体管(6)的射极(E2)通过第一电阻器(12)连接到地，其基极(B2)通过至少一个二极管(14，16，18)连接至地；其中，第二晶体管(6)的基极(B2)通过第二电阻器(20)连接至参考电压(Vref)；其中，所述输出级连接至第一和第二晶体管(4，6)的集极(C1，C2)，在所述输出级的端子处，输出电压(Vout)被恢复为大于输入电压(Vin)；其中，输入级(8)包括第一MOSFET晶体管(26)和第二MOSFET晶体管(28)，第一MOSFET晶体管(26)的栅极(G1)和第二MOSFET晶体管(28)的栅极(G2)连接至输入端子(23)；其中第一MOSFET晶体管(26)的漏极(D1)连接至第一PNP晶体管(4)的基极(B1)且通过电压分配桥连接至输入电压(Vin)，第一MOSFET晶体管(26)的源极(S1)连接至地；第二MOSFET晶体管(28)的漏极(D2)连接至第二NPN晶体管(6)的基极(B2)，且第二MOSFET晶体管(28)的源极(S2)连接至地。