[发明专利]用于控制电压升压电路的电路有效

专利信息
申请号: 201280049074.3 申请日: 2012-10-04
公开(公告)号: CN103907277B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: K.考温 申请(专利权)人: 法雷奥热系统公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H03K17/06;H03K17/0412
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 葛青
地址: 法国拉韦里勒*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制 电压 升压 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及用于控制电压升压电路的电路。其还涉及电压升压电路、用于控制N-通道MOSFET晶体管的装置,以及用于调节安装在用于机动车辆的通风、供暖和/或空调设备上的马达-风扇单元的旋转速度的系统。

更具体地,本发明涉及装备有称为“停止&起动”的内燃机的自动停止和重新起动系统的机动车辆的技术领域。

背景技术

当车辆静止(例如由于交通灯变为红)时,“停止&起动”功能停止内燃机。当行驶再次可能时,“停止&起动”功能执行内燃机的快速起动。这样的起动导致车辆的车载网络的电压降,从而,该网络的电压可降到一定临界值以下,在该临界值以下,一些设备关闭。在该设备中,马达-风扇单元或MFU确保朝向乘客舱的空气流循环,用于对所述舱进行热调节。由此,内燃机起动时的该电压降停止MFU,且所以影响乘客舱的热调节。

为了调节MFU的旋转速度,使用N-通道MOSFET晶体管,连接在供电电压和MFU之间且由其栅极电压控制。

在车辆的停止和自动重新起动期间,例如由于交通灯变为红,MOSFET晶体管的栅极电压下降。该下降可降到一水平,从而MOSFET晶体管以线性模式操作,且可因此不再调节MFU。

现有技术调节系统不提供用于减少该风险的方案。

发明内容

本发明意图通过提供用于在车辆重新起动时,尽可能限制MOSFET晶体管的栅极电压降的器件而改善该情况。

为此目的,本发明涉及用于控制电压升压电路的电路,包括:

-第一PNP晶体管,其射极连接至输入电压;

-第二NPN晶体管,其集极连接到第一晶体管的集极,第二晶体管的射极连接至地,其特征在于,所述第二晶体管的射极通过第一电阻器连接到地,其基极通过至少一个二极管连接至地。

分别连接发射器和第二NPN晶体管的基部至地的第一电阻器和二极管用于在短路期间精确控制所述第一电阻器的端子处的电势差,和限制两个晶体管中流动的电流。特别地,二极管的使用确保电路关于温度变化的均一性,二极管电压以与第二NPN晶体管的基极和射极之间的电压相同的方式变化。

根据优选的实施例,第二晶体管的基极通过串联设置的三个二极管连接至地。

该数量的二极管提供了在最严峻使用情况下用于控制第二NPN晶体管的必要的电压。这些最严峻使用情况例如是从-40℃至150℃变化的温度,且还涉及部件的最差情况技术。

有利地,第一电阻器的值小于十欧姆。

该值提供确保与短路时间期间晶体管的使用的限制条件符合的需求和限制在该第一电阻器的端子处的电压降的需求之间的折中。

有利地,第二晶体管的基极通过第二电阻器连接至参考电压。

这允许第二NPN晶体管的基极电压被控制。

本发明还涉及一种电压升压电路,包括根据本发明的控制电路和输出级,连接至第一和第二晶体管的集极,在输出级的端子处,输出电压被恢复为大于输入电压。

有利地,升压电路包括输入级,连接至第一和第二晶体管的基极,用于控制所述晶体管的断开和闭合。

优选地,输入级能够在所述输入级的一个输入端子上接收脉宽调制控制。

根据优选的实施例,输入级包括两个MOSFET晶体管,其栅极连接至输入端子,优选地通过电阻器连接。

有利地,输入级包括连接至第一晶体管的基极的电压分配桥。

优选地,电压分配桥包括两个电阻器。

有利地,输出级包括:

-两个二极管和第一电容器,在输入电压和地之间相继地串联连接;和

-第二电容器,连接在第一晶体管的集极和两个二极管之间,

输出电压等于第一电容器的端子处的电压。

包括两个二极管和两个电容器的该输出级由此构成作为电压二倍器操作的供给泵。

优选地,输出级的二极管是肖特基二极管。

本发明还涉及一种用于控制N-通道MOSFET晶体管的装置,包括根据本发明的升压电压电路。

本发明还涉及一种用于调节安装在用于机动车辆的通风、供暖和/或空调设备上的马达-风扇单元的旋转速度的系统,包括N-通道MOSFET晶体管和根据本发明的用于控制所述MOSFET晶体管的装置。

MOSFET晶体管优选地连接在供给电压和马达-风扇单元之间。

贯穿本发明的说明书,术语“连接”是指直接连接或经由低阻抗电阻器连接。

附图说明

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