[发明专利]电子束光刻装置以及光刻方法有效
申请号: | 201280048943.0 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103858211A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 安田洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社PARAM |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01J37/305 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;王涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群,通过位映像信号打开/关闭待光刻的元件的网格,修整希望的波束形状,将波束偏向于需要位置,波束状态稳定后,打开全体遮光器,通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开/关闭信号和向量扫描信号,在波束稳定后,解除全体遮光器,并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时,修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。 | ||
搜索关键词: | 电子束光刻 装置 以及 光刻 方法 | ||
【主权项】:
一种电子束光刻方法,其中电子束光刻装置被用于在样本上扫描多条个别要素波束以用于光刻,所述电子束光刻装置包括:电子枪,其在Z轴方向上射出电子束;屏蔽板,其具有在X方向和Y方向上以预定的布置节距布置的多个开口,所述屏蔽板从自所述电子枪射出的电子束中获得具有限制为所述开口的尺寸的波束尺寸的多条个别要素波束;多个个别遮光器,其配置为个别地打开/关闭通过所述屏蔽板而获得的多条个别要素波束;全体遮光器,其配置为全体地打开/关闭从多个个别遮光器射出的多条个别要素波束;以及偏向器,其使通过多个个别遮光器及全体遮光器的多条个别要素波束全体以预定节距逐渐偏向,从而关于所述样品步进式地扫描所述多条个别要素波束,其中在从所述全体遮光器射出多条个别要素波束被关闭的状态下,通过所述偏向器来确定多条个别要素波束的射出方向,并且,依照显示从各射出方向上每一个拍摄所产生的各个别遮光器射出个别要素波束的打开/关闭的位映像,来控制所述多个个别要素遮光器,以控制从各个别要素遮光器射出的个别要素波束的打开/关闭,在从各个别遮光器射出个别要素波束的处理稳定后,从全体遮光器射出多条个别要素波束被打开,对所述样本射出来自处于打开状态的多个个别遮光器的个别要素波束所形成的一个拍摄,并且,通过所述偏向器重复由多条个别波束形成的所述一个拍摄射出同时反复移动多条个别要素波束的位置,将依照作为光刻目标的所述图案数据的图案绘制于所述样本上,并且所述位映像基于所述图案数据以及依照所述屏蔽板中开口的布置节距而确定的多条个别要素波束对样本的照射位置之间的比较而产生,并且,在产生该位映像时,计算用于进行对应于所述图案数据的光刻所需要的拍摄数量,当计算出的所需要的拍摄数量超过预定数量时,变更所述图案数据。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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