[发明专利]电子束光刻装置以及光刻方法有效

专利信息
申请号: 201280048943.0 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN103858211A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 安田洋 申请(专利权)人: 株式会社PARAM
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01J37/305
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;王涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子束光刻 装置 以及 光刻 方法
【权利要求书】:

1.一种电子束光刻方法,其中电子束光刻装置被用于在样本上扫描多条个别要素波束以用于光刻,

所述电子束光刻装置包括:

电子枪,其在Z轴方向上射出电子束;

屏蔽板,其具有在X方向和Y方向上以预定的布置节距布置的多个开口,所述屏蔽板从自所述电子枪射出的电子束中获得具有限制为所述开口的尺寸的波束尺寸的多条个别要素波束;

多个个别遮光器,其配置为个别地打开/关闭通过所述屏蔽板而获得的多条个别要素波束;

全体遮光器,其配置为全体地打开/关闭从多个个别遮光器射出的多条个别要素波束;以及

偏向器,其使通过多个个别遮光器及全体遮光器的多条个别要素波束全体以预定节距逐渐偏向,从而关于所述样品步进式地扫描所述多条个别要素波束,

其中

在从所述全体遮光器射出多条个别要素波束被关闭的状态下,通过所述偏向器来确定多条个别要素波束的射出方向,并且,依照显示从各射出方向上每一个拍摄所产生的各个别遮光器射出个别要素波束的打开/关闭的位映像,来控制所述多个个别要素遮光器,以控制从各个别要素遮光器射出的个别要素波束的打开/关闭,

在从各个别遮光器射出个别要素波束的处理稳定后,从全体遮光器射出多条个别要素波束被打开,对所述样本射出来自处于打开状态的多个个别遮光器的个别要素波束所形成的一个拍摄,并且,通过所述偏向器重复由多条个别波束形成的所述一个拍摄射出同时反复移动多条个别要素波束的位置,将依照作为光刻目标的所述图案数据的图案绘制于所述样本上,并且

所述位映像基于所述图案数据以及依照所述屏蔽板中开口的布置节距而确定的多条个别要素波束对样本的照射位置之间的比较而产生,并且,在产生该位映像时,计算用于进行对应于所述图案数据的光刻所需要的拍摄数量,当计算出的所需要的拍摄数量超过预定数量时,变更所述图案数据。

2.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,其中

假设多个个别遮光器的布置节距为P并且图案数据中的图案的反复节距为L,选择适当的L,使得P与L的最小公倍数除以L或P所获得的值不超过预定值,并基于选择的L值来修正待绘制的图案数据。

3.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,其中

设置所述多组屏蔽板和个别遮光器,使各组中的X方向和Y方向上的布置节距彼此不同,并且依照所述图案数据来选择所述多组中的一个用于光刻。

4.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,其中

从外部经由并串联数据变换电路供给所述位映像数据,并且通过解串器作为并联数据而存储于寄存器中。

5.根据权利要求4所述的电子束光刻方法,其中

在从外部经由并串联数据变换电路供给所述位映像数据,并通过解串器作为并联数据而存储于寄存器中的过程中,采用使用光纤的激光光学通信。

6.一种电子束光刻装置,用于根据权利要求1所述的电子束光刻方法,其中

所述个别遮光器具有使个别要素波束偏向的一对电极,并且

在所述一对电极中,使用包括SiC、Si等的本征半导体层或半导体的耗尽层作为绝缘膜。

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