[发明专利]晶圆级应用的散热器无效
| 申请号： | 201280048895.5 | 申请日： | 2012-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN103858222A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 戴维·克拉克;西奥多·G·特斯耶尔 | 申请（专利权）人： | 弗利普芯片国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李静 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在晶圆级制造阶段在半导体封装上形成散热器的方法。在分离成单独的部件封装之前，用树脂金属箔层覆盖在半导体部件晶圆的一侧上。通过激光烧蚀使树脂箔层图案化，以限定散热器位置，然后将导热膏施加在图案化的层上。使导热膏硬化，以形成散热器。然后，可将晶圆分离成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 应用 散热器 | ||
【主权项】：
一种具有热耗散能力的晶圆级芯片规模封装的形成方法，包括：提供具有背侧的引入晶圆；向所述晶圆的所述背侧施加树脂箔层；通过激光烧蚀使所述树脂箔层图案化；在图案化的所述树脂箔层周围和所述树脂箔层上向所述晶圆的所述背侧施加导热膏；以及将所述导热膏固化成所述晶圆上的一个或多个散热器，以完成晶圆级芯片规模封装的形成。
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