[发明专利]晶圆级应用的散热器

权利要求书

1.一种具有热耗散能力的晶圆级芯片规模封装的形成方法，包括：

提供具有背侧的引入晶圆；

向所述晶圆的所述背侧施加树脂箔层；

通过激光烧蚀使所述树脂箔层图案化；

在图案化的所述树脂箔层周围和所述树脂箔层上向所述晶圆的所述背侧施加导热膏；以及

将所述导热膏固化成所述晶圆上的一个或多个散热器，以完成晶圆级芯片规模封装的形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导热膏是由传导性金属膏。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属膏包含铜、锡、或导热金属合金。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述树脂箔层是树脂铜箔层。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：将所述晶圆级芯片规模封装嵌入在一晶片封装中。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属膏选自由铜、锡和金属合金组成的组。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在固化的所述导电膏中的一个或多个上形成热过孔。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将晶圆级芯片规模封装嵌入在一嵌入式晶片封装中。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在所述嵌入式晶片封装中的所述晶圆级芯片规模封装上方施加外层。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：通过所述外层暴露所述晶圆级芯片规模封装的所述散热器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述散热器通过穿过所述外层的过孔暴露。

12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：将外部分立的散热器附接于晶圆级芯片规模封装散热器。

13.一种具有热耗散能力的晶圆级芯片规模封装的形成方法，包括：

提供具有背侧的引入晶圆；

向所述晶圆的所述背侧施加树脂箔层；

通过激光烧蚀使所述树脂箔层图案化；

在图案化的所述树脂箔层周围和所述树脂箔层上向所述晶圆的所述背侧施加导热膏；

使所述导热膏固化以在所述晶圆上形成一个或多个散热器；以及

在固化的所述导电膏中的一个或多个上形成热过孔。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：将所述晶圆级芯片规模封装嵌入在一嵌入式晶片封装中。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：在所述嵌入式晶片封装中的所述晶圆级芯片规模封装上方施加外层。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：通过所述外层暴露所述晶圆级芯片规模封装的所述散热器。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述散热器通过穿过所述外层的过孔暴露。

18.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：将外部分立的散热器附接于晶圆级芯片规模封装散热器。

19.一种晶圆级芯片规模封装，包括：

具有背侧的晶圆；

激光烧蚀图案，形成在所述晶圆的所述背侧上的树脂箔层中；以及

固化的导热膏，位于所述晶圆的所述背侧上且位于图案化的所述树脂箔层周围和所述树脂箔层上，在所述晶圆上形成一个或多个散热器。

20.根据权利要求19所述的封装，其中，所述树脂箔层是树脂铜箔层。