[发明专利]在含硅层基材表面上形成石墨烯层的方法有效
| 申请号： | 201280047617.8 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103842291A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | A·欧厄吉 | 申请（专利权）人： | 中央科学研究中心 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法包括以下连续步骤：在所述硅层的自由表面上形成（1）碳化硅膜(103)；以及逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一排原子中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。根据本发明，使用了自由表面为阶梯式的硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅层 基材 表面上 形成 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法依次包括以下步骤：‑在所述硅层的自由表面上形成碳化硅膜(103)；以及‑逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一原子晶格阵列中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。所述方法的特征在于，使用了具有阶梯式自由表面的硅层。
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